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1. (WO2019006800) METHOD FOR MANUFACTURING NANO WIRE GRID POLARIZER
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Pub. No.: WO/2019/006800 International Application No.: PCT/CN2017/095044
Publication Date: 10.01.2019 International Filing Date: 28.07.2017
IPC:
G02B 5/30 (2006.01)
G PHYSICS
02
OPTICS
B
OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS, OR APPARATUS
5
Optical elements other than lenses
30
Polarising elements
Applicants:
深圳市华星光电技术有限公司 SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. [CN/CN]; 中国广东省深圳市 光明新区塘明大道9-2号 No.9-2, Tangming Road, Guangming Shenzhen, Guangdong 518132, CN
Inventors:
侯俊 HOU, Jun; CN
陈黎暄 CHEN, Lixuan; CN
陈孝贤 CHEN, Hsiao Hsien; CN
Agent:
深圳市铭粤知识产权代理有限公司 MING & YUE INTELLECTUAL PROPERTY LAW FIRM; 中国广东省深圳市南山区南山街道前海路泛海城市广场2栋604室 Room 604 Building 2, Oceanwide City Square, Qianhai Road, Nanshan Street, Nanshan District Shenzhen, Guangdong 518066, CN
Priority Data:
201710553127.X07.07.2017CN
Title (EN) METHOD FOR MANUFACTURING NANO WIRE GRID POLARIZER
(FR) PROCÉDÉ PERMETTANT DE FABRIQUER UN POLARISEUR À GRILLE DE NANOFILS
(ZH) 纳米线栅偏光片的制作方法
Abstract:
(EN) A method for manufacturing a nano wire grid polarizer comprises the steps of: S1, laminating a first wire grid material layer (12a), a second wire grid material layer (13a) and a third wire grid material layer (14a) on a substrate (11) sequentially; S2, forming a nano photoresist array (21) on the third wire grid material layer (14a); S3, etching a part of the third wire grid material layer (14a) not shielded by the nano photoresist array (21) using a dry-etching technique; S4, etching a part of the second wire grid material layer (13a) not shielded by the nano photoresist array (21) using a wet-etching technique; S5, etching a part of the first wire grid material layer (12a) not shielded by the nano photoresist array (21) using a dry-etching technique; and S6, removing the nano photoresist array (21) to obtain a nano wire grid polarizer. By using the above manufacturing method, a multi-layer wire grid material film having a "sandwich" structure is manufactured on a substrate (1) by means of using a dry-etching technique and a wet-etching technique in different phases depending on different characteristics of different film materials, such that the thickness required to reach by a single etching process is reduced, and thus the defects of a single dry-etching technique and a single wet-etching technique are avoided and the process is simple.
(FR) La présente invention concerne un procédé qui permet de fabriquer un polariseur à grille de nanofils, et qui comprend les étapes suivantes : (S1) la stratification successive d'une première couche de matériau de grille de fils (12a), d'une deuxième couche de matériau de grille de fils (13a) et d'une troisième couche de matériau de grille de fils (14a) sur un substrat (11) ; (S2) la formation d'un nanoréseau de résine photosensible (21) sur la troisième couche de matériau de grille de fils (14a) ; (S3) la gravure d'une partie de cette troisième couche de matériau de grille de fils (14a) non protégée par le nanoréseau de résine photosensible (21) à l'aide d'une technique de gravure sèche ; (S4) la gravure d'une partie de la deuxième couche de matériau de grille de fils (13a) non protégée par ledit nanoréseau de résine photosensible (21) à l'aide d'une technique de gravure humide ; (S5) la gravure d'une partie de la première couche de matériau de grille de fils (12a) non protégée par le nanoréseau de résine photosensible (21) à l'aide d'une technique de gravure sèche ; et (S6) le retrait de ce nanoréseau de résine photosensible (21) pour obtenir un polariseur à grille de nanofils. À l'aide du procédé de fabrication ci-dessus, un film de matériau de grille de fils multicouche ayant une structure "sandwich" est fabriqué sur un substrat (1) au moyen d'une technique de gravure sèche et d'une technique de gravure humide en différentes phases en fonction de diverses caractéristiques de matériaux de film différents, de telle sorte que l'épaisseur devant être atteinte avec un processus de gravure unique soit réduite, et ainsi les défauts d'une unique technique de gravure sèche et d'une unique technique de gravure humide sont évités, et le processus est simple.
(ZH) 一种纳米线栅偏光片的制作方法,包括以下步骤:S1、在衬底(11)上依次叠层制作第一线栅材料层(12a)、第二线栅材料层(13a)和第三线栅材料层(14a);S2、在第三线栅材料层(14a)上制作纳米光阻阵列(21);S3、采用干刻蚀法刻蚀未被纳米光阻阵列(21)遮挡的第三线栅材料层(14a);S4、采用湿刻蚀法刻蚀未被纳米光阻阵列(21)遮挡的第二线栅材料层(13a);S5、采用干刻蚀法刻蚀未被纳米光阻阵列(21)遮挡的第一线栅材料层(12a);S6、去除纳米光阻阵列(21),获得纳米线栅偏光片。根据该制作方法通过在衬底(11)上制作具有"三明治"结构的多层线栅材料膜层,再结合不同膜层材料的不同特性,分段使用干刻蚀法和湿刻蚀法,降低单次刻蚀需达到的厚度,避免了单一的干刻蚀法和单一的湿刻蚀法的弊端,且其制程简单。
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Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)