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1. (WO2019003284) EXTREME ULTRAVIOLET LIGHT GENERATION DEVICE
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Pub. No.: WO/2019/003284 International Application No.: PCT/JP2017/023455
Publication Date: 03.01.2019 International Filing Date: 26.06.2017
IPC:
G03F 7/20 (2006.01) ,H05G 2/00 (2006.01)
G PHYSICS
03
PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
F
PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
7
Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printed surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
20
Exposure; Apparatus therefor
H ELECTRICITY
05
ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
G
X-RAY TECHNIQUE
2
Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
Applicants:
ギガフォトン株式会社 GIGAPHOTON INC. [JP/JP]; 栃木県小山市大字横倉新田400番地 400, Oaza Yokokurashinden, Oyama-shi, Tochigi 3238558, JP
Inventors:
戸室 啓明 TOMURO Hiroaki; JP
永井 伸治 NAGAI Shinji; JP
本田 能之 HONDA Yoshiyuki; JP
Agent:
森村靖男 MORIMURA Yasuo; JP
Priority Data:
Title (EN) EXTREME ULTRAVIOLET LIGHT GENERATION DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE GÉNÉRATION DE LUMIÈRE ULTRAVIOLETTE EXTRÊME
(JA) 極端紫外光生成装置
Abstract:
(EN) An extreme ultraviolet light generation device comprises: a chamber that focuses laser light in the inner space to plasmatize a target substance at the focal point of laser light; a collector mirror that collects extreme ultraviolet light generated by the plasmatized target substance; and a magnetic field generation unit structured to generate a magnetic field to make the charged particles created by the plasmatized target substance converge on the wall of the chamber. The collector mirror includes a substrate, a reflective layer provided on the substrate and reflecting the extreme ultraviolet light, and a protective layer provided on the reflective layer. The protective layer has a layer-thickness distribution in which the layer thickness of the protective layer from the surface of the reflective layer changes. The position of the maximum layer thickness on the protective layer may be on a line (CL) where a plane passing through the magnetic field axis of the magnetic field generation unit and the center axis (CA) of the collector mirror and the surface (62F) of the reflective layer intersect with each other.
(FR) Un dispositif de génération de lumière ultraviolette extrême de l’invention comprend : une chambre qui concentre la lumière laser dans l’espace intérieur pour plasmatiser une substance cible au point focal de la lumière laser ; un miroir collecteur qui collecte une lumière ultraviolette extrême générée par la substance cible plasmatisée ; et une unité de génération de champ magnétique structurée pour générer un champ magnétique servant à faire converger les particules chargées créées par la substance cible plasmatisée sur la paroi de la chambre. Le miroir collecteur comprend un substrat, une couche réfléchissante disposée sur le substrat et réfléchissant la lumière ultraviolette extrême, et une couche protectrice disposée sur la couche réfléchissante. La couche protectrice a une distribution d’épaisseur de couche qui est telle que l’épaisseur de couche de la couche protectrice, à partir de la surface de la couche réfléchissante, varie. La position de l’épaisseur de couche maximale sur la couche protectrice peut être située sur une droite (CL) correspondant à l’endroit où un plan passant par l’axe de champ magnétique de l’unité de génération de champ magnétique et par l’axe central (CA) du miroir collecteur et la surface (62F) de la couche réfléchissante se coupent mutuellement.
(JA) 極端紫外光生成装置は、内部空間にレーザ光が集光され、レーザ光の集光位置でターゲット物質がプラズマ化されるチャンバと、ターゲット物質のプラズマ化により生じる極端紫外光を集光する集光ミラーと、ターゲット物質のプラズマ化により生じる荷電粒子がチャンバの壁側に収束する磁場を発生するよう構成される磁場発生部と、を備え、集光ミラーは、基板と、基板上に設けられ極端紫外光を反射する反射層と、反射層上に設けられる保護層とを含み、保護層は、反射層表面からの保護層の層厚が変化する層厚分布とされ、保護層における最大層厚の位置は、磁場発生部の磁場軸及び集光ミラーの中心軸(CA)を通る面と反射層表面(62F)とが交わる線(CL)上とされるようにしてもよい。
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Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)