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1. (WO2019001873) METHODS AND PATTERNING DEVICES AND APPARATUSES FOR MEASURING FOCUS PERFORMANCE OF A LITHOGRAPHIC APPARATUS, DEVICE MANUFACTURING METHOD
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Pub. No.: WO/2019/001873 International Application No.: PCT/EP2018/063959
Publication Date: 03.01.2019 International Filing Date: 28.05.2018
IPC:
G03F 7/20 (2006.01)
G PHYSICS
03
PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
F
PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
7
Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printed surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
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Exposure; Apparatus therefor
Applicants:
ASML NETHERLANDS B.V. [NL/NL]; P.O. Box 324 5500 AH Veldhoven, NL
Inventors:
STAALS, Frank; NL
VAN OOSTEN, Anton, Bernhard; NL
YUDHISTIRA, Yasri; US
LUIJTEN, Carlo, Cornelis, Maria; NL
VERSTRAETEN, Bert; NL
GEMMINK, Jan-Willem; NL
Agent:
WILLEKENS, Jeroen, Pieter, Frank; NL
Priority Data:
17177774.126.06.2017EP
Title (EN) METHODS AND PATTERNING DEVICES AND APPARATUSES FOR MEASURING FOCUS PERFORMANCE OF A LITHOGRAPHIC APPARATUS, DEVICE MANUFACTURING METHOD
(FR) PROCÉDÉS ET DISPOSITIFS ET APPAREILS DE FORMATION DE MOTIFS PERMETTANT DE MESURER LES PERFORMANCES DE FOCALISATION D’UN APPAREIL LITHOGRAPHIQUE, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF
Abstract:
(EN) Focus metrology patterns and methods are disclosed which do not rely on sub-resolution features. Focus can be measured by measuring asymmetry of the printed pattern (T), or complementary pairs of printed patterns (TN/TM). Asymmetry can be measured by scatterometry. Patterns may be printed using EUV radiation or DUV radiation. A first type of focus metrology pattern comprises first features (422) interleaved with second features (424). A minimum dimension (w1) of each first feature is close to a printing resolution. A maximum dimension (w2) of each second feature in the direction of periodicity is at least twice the minimum dimension of the first features. Each first feature is positioned between two adjacent second features such that a spacing (w1') and its nearest second feature is between one half and twice the minimum dimension of the first features. A second type of focus metrology pattern comprises features (1122, 1124) arranged in pairs.
(FR) L’invention concerne des motifs et des procédés de métrologie de focalisation qui ne reposent pas sur des caractéristiques de sous-résolution. La focalisation peut être mesurée par des mesures de l’asymétrie du motif imprimé (T) ou de paires complémentaires de motifs imprimés (TN/TM). L’asymétrie peut être mesurée par diffusiométrie. Des motifs peuvent être imprimés à l’aide d’un rayonnement EUV ou d’un rayonnement DUV. Un premier type de motif de métrologie de focalisation comprend des premières caractéristiques (422) entrelacées avec des deuxièmes caractéristiques (424). Une dimension minimale (w1) de chaque première caractéristique est proche d’une résolution d’impression. Une dimension maximale (w2) de chaque deuxième caractéristique dans la direction de périodicité est au moins égale au double de la dimension minimale des premières caractéristiques. Chaque première caractéristique est positionnée entre deux deuxièmes caractéristiques adjacentes de telle façon qu’un espacement (w1') et sa deuxième caractéristique la plus proche se trouvent entre une moitié et le double de la dimension minimale des premières caractéristiques. Un deuxième type de motif de métrologie de focalisation comprend des caractéristiques (1122, 1124) disposées sous forme de paires.
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Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)