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1. (WO2019001767) OPTOELECTRONIC COMPONENT
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Pub. No.: WO/2019/001767 International Application No.: PCT/EP2018/000319
Publication Date: 03.01.2019 International Filing Date: 26.06.2018
IPC:
G02B 19/00 (2006.01) ,H01S 5/042 (2006.01) ,H01S 5/18 (2006.01)
G PHYSICS
02
OPTICS
B
OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS, OR APPARATUS
19
Condensers
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
S
DEVICES USING STIMULATED EMISSION
5
Semiconductor lasers
04
Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
042
Electrical excitation
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
S
DEVICES USING STIMULATED EMISSION
5
Semiconductor lasers
10
Construction or shape of the optical resonator
18
Surface-emitting lasers (SE-lasers)
Applicants:
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg, DE
Inventors:
BRICK, Peter; DE
GROETSCH, Stefan; DE
SCHWALENBERG, Simon; DE
WITTMANN, Michael; DE
Agent:
WILHELM & BECK; Prinzenstraße 13 80639 Munich, DE
Priority Data:
10 2017 114 369.628.06.2017DE
Title (EN) OPTOELECTRONIC COMPONENT
(FR) COMPOSANT OPTOÉLECTRONIQUE
(DE) OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT
Abstract:
(EN) An optoelectronic component comprises an optoelectronic semiconductor chip having an upper face and a lower face. An emitting region is formed on the upper face. Said emitting region is designed to emit electromagnetic radiation. A surface portion of the upper face forming the emitting region is smaller than a total surface of the upper face. A collimating optical element is arranged above the emitting region.
(FR) Composant optoélectronique présente une puce semi-conductrice optoélectronique pourvue d'une face supérieure et d'une face inférieure. Une zone émettrice est formée sur la face supérieure. La zone émettrice est conçue pour émettre un rayonnement électromagnétique. Une surface partielle de la face supérieure, formant la zone émettrice, est inférieure à une surface totale de la face supérieure. Un élément optique de collimation est disposé au-dessus de la zone émettrice.
(DE) Ein optoelektronisches Bauelement weist einen optoelektronischen Halbleiterchip mit einer Oberseite und einer Unterseite auf. An der Oberseite ist ein emittierender Bereich ausgebildet. Der emittierende Bereich ist dazu ausgebildet, elektromagnetische Strahlung zu emittieren. Eine den emittierenden Bereich bildende Teilfläche der Oberseite ist kleiner als eine Gesamtfläche der Oberseite. Über dem emittierenden Bereich ist ein kollimierendes optisches Element angeordnet.
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Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
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European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
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Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)