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1. (WO2018226477) TIME-BASED ACCESS OF A MEMORY CELL
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Pub. No.: WO/2018/226477 International Application No.: PCT/US2018/035089
Publication Date: 13.12.2018 International Filing Date: 30.05.2018
IPC:
G11C 11/22 (2006.01)
G PHYSICS
11
INFORMATION STORAGE
C
STATIC STORES
11
Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
21
using electric elements
22
using ferroelectric elements
Applicants:
MICRON TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 8000 S. Federal Way Boise, Idaho 83716-9632, US
Inventors:
DI VINCENZO, Umberto; US
Agent:
HARRIS, Philip W.; US
Priority Data:
15/619,16309.06.2017US
Title (EN) TIME-BASED ACCESS OF A MEMORY CELL
(FR) ACCÈS, BASÉ SUR LE TEMPS, À UNE CELLULE DE MÉMOIRE
Abstract:
(EN) Techniques, systems, and devices for time-resolved access of memory cells in a memory array are described herein. During a sense portion of a read operation, a selected memory cell may be charged to a predetermined voltage level. A logic state stored on the selected memory cell may be identified based on a duration between the beginning of the charging and when selected memory cell reaches the predetermined voltage level. In some examples, time-varying signals may be used to indicate the logic state based on the duration of the charging. In some examples, the duration of the charging may be based on a polarization state of the selected memory cell, a dielectric charge state of the selected state, or both a polarization state and a dielectric charge state of the selected memory cell.
(FR) La présente invention concerne des techniques, des systèmes et des dispositifs permettant un accès à résolution temporelle à des cellules de mémoire dans un réseau de mémoires. Durant une partie de détection d’une opération de lecture, une cellule de mémoire sélectionnée peut être chargée à un niveau de tension déterminé. Un état logique stocké sur la cellule de mémoire sélectionnée peut être identifié sur la base d’une durée entre le début de la charge et l’instant où la cellule de mémoire sélectionnée atteint le niveau de tension déterminé. Dans certains exemples, des signaux variant dans le temps peuvent être utilisés pour indiquer l’état logique sur la base de la durée de la charge. Dans certains exemples, la durée de la charge peut être basée sur un état de polarisation de la cellule de mémoire sélectionnée, sur un état de charge diélectrique de l’état sélectionné, ou à la fois sur un état de polarisation et sur un état de charge diélectrique de la cellule de mémoire sélectionnée.
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Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)