Some content of this application is unavailable at the moment.
If this situation persist, please contact us atFeedback&Contact
1. (WO2018225459) METHOD FOR INSPECTING SEMICONDUCTOR DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau    Submit observation

Pub. No.: WO/2018/225459 International Application No.: PCT/JP2018/018589
Publication Date: 13.12.2018 International Filing Date: 14.05.2018
IPC:
G01N 25/72 (2006.01)
G PHYSICS
01
MEASURING; TESTING
N
INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
25
Investigating or analysing materials by the use of thermal means
72
Investigating presence of flaws
Applicants:
浜松ホトニクス株式会社 HAMAMATSU PHOTONICS K.K. [JP/JP]; 静岡県浜松市東区市野町1126番地の1 1126-1, Ichino-cho, Higashi-ku, Hamamatsu-shi, Shizuoka 4358558, JP
Inventors:
松本 徹 MATSUMOTO Toru; JP
越川 一成 KOSHIKAWA Kazushige; JP
Agent:
長谷川 芳樹 HASEGAWA Yoshiki; JP
黒木 義樹 KUROKI Yoshiki; JP
柴山 健一 SHIBAYAMA Kenichi; JP
Priority Data:
2017-11191806.06.2017JP
Title (EN) METHOD FOR INSPECTING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCÉDÉ D’INSPECTION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体デバイス検査方法
Abstract:
(EN) This method for inspecting a semiconductor device is a method for inspecting a semiconductor device, which is an object being inspected, and includes: a first step of bonding adhesive tape having an emissivity at least equal to 0.9 and a transmissivity of light having a wavelength between 300 nm and 2000 nm at least equal to 60% to a surface being inspected, of the semiconductor device; a second step of acquiring a first pattern image by detecting light from a region including the surface to which the adhesive tape has been bonded, within the surface being inspected; a third step of inputting an electrical signal into the semiconductor device to which the adhesive tape has been bonded; a fourth step of acquiring a first thermal emission image by detecting light corresponding to thermal radiation from the region including the surface to which the adhesive tape has been bonded, with the electrical signal being input; and a fifth step of superimposing the first pattern image and the first thermal emission image.
(FR) La présente invention concerne un procédé d’inspection d’un dispositif à semi-conducteur qui est un procédé d’inspection d’un dispositif à semi-conducteur, qui est un objet étant inspecté, et comprend : une première étape de collage de bande adhésive ayant une émissivité au moins égale à 0,9 et une transmissivité de lumière ayant une longueur d’onde comprise entre 300 nm et 2000 nm au moins égale à 60 % sur une surface étant inspectée du dispositif à semi-conducteur ; une deuxième étape d’acquisition d’une première image de motif par détection de lumière provenant d’une région comprenant la surface à laquelle la bande adhésive a été collée, dans la surface étant inspectée ; une troisième étape d’entrée d’un signal électrique dans le dispositif à semi-conducteur auquel la bande adhésive a été collée ; une quatrième étape d’acquisition d’une première image d’émission thermique par détection de la lumière correspondant au rayonnement thermique provenant de la région comprenant la surface à laquelle la bande adhésive a été collée, le signal électrique étant entré ; et une cinquième étape de superposition de la première image de motif et de la première image d’émission thermique.
(JA) 半導体デバイス検査方法は、被検査体である半導体デバイスの検査を行う半導体デバイス検査方法であって、放射率が0.9以上であり、且つ、300nmから2000nmまでの波長における光の透過率が60%以上である粘着テープを半導体デバイスの被検査面に貼着する第1ステップと、被検査面のうち、粘着テープが貼着されている面を含む領域からの光を検出して、第1のパターン画像を取得する第2ステップと、粘着テープが貼着されている半導体デバイスに電気信号を入力する第3ステップと、電気信号が入力されている状態で、粘着テープが貼着されている面を含む領域からの熱放射に応じた光を検出して、第1の発熱画像を取得する第4ステップと、第1のパターン画像と第1の発熱画像とを重畳する第5ステップと、を含む。
front page image
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)