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1. (WO2018224540) ELECTRIC DEVICE WAFER
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Pub. No.: WO/2018/224540 International Application No.: PCT/EP2018/064877
Publication Date: 13.12.2018 International Filing Date: 06.06.2018
IPC:
H03H 9/02 (2006.01) ,H01L 41/08 (2006.01)
H ELECTRICITY
03
BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
H
IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
9
Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
02
Details
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
41
Piezo-electric devices in general; Electrostrictive devices in general; Magnetostrictive devices in general; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
08
Piezo-electric or electrostrictive elements
Applicants:
RF360 EUROPE GMBH [DE/DE]; Anzinger Str. 13 81671 München, DE
Inventors:
MEISTER, Veit; DE
RÖSLER, Ulrike; DE
Agent:
EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München, DE
Priority Data:
10 2017 112 659.708.06.2017DE
Title (EN) ELECTRIC DEVICE WAFER
(FR) PLAQUETTE DE DISPOSITIF ÉLECTRIQUE
Abstract:
(EN) A device wafer comprises a silicon substrate, a piezoelectric layer arranged on and bonded to the silicon substrate and a structured metallization on top of the piezoelectric layer. The metallization forms functional device structures providing device functions for a plurality of electric devices that are realized on the device wafer. Semiconductor structures realize a semiconductor element providing a semiconductor function in the semiconductor substrate. Electrically conducting connections providing e.g. ohmic contact between the semiconductor structures and functional device structures such that at least one semiconductor function is controlled by a functional device structure or that at least one device function of the functional device structures is controlled by the semiconductor structures.
(FR) La présente invention concerne une plaquette de dispositif, comprenant un substrat de silicium, une couche piézoélectrique disposée sur le substrat de silicium et liée à ce dernier, et une métallisation structurée sur la couche piézoélectrique. La métallisation forme des structures de dispositif fonctionnel offrant des fonctions de dispositif à une pluralité de dispositifs électriques qui sont mis en œuvre sur la plaquette de dispositif. Des structures semi-conductrices mettent en œuvre un élément semi-conducteur offrant une fonction semi-conductrice dans le substrat semi-conducteur. Des connexions électroconductrices permettent, par exemple, un contact ohmique entre les structures semi-conductrices et les structures de dispositif fonctionnel de telle sorte qu'au moins une fonction semi-conductrice est commandée par une structure de dispositif fonctionnel, ou qu'au moins une fonction de dispositif des structures de dispositif fonctionnel est commandée par les structures semi-conductrices.
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Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)