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1. (WO2018224183) LED FILAMENT
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Pub. No.: WO/2018/224183 International Application No.: PCT/EP2018/000300
Publication Date: 13.12.2018 International Filing Date: 08.06.2018
IPC:
F21K 9/232 (2016.01) ,F21K 9/90 (2016.01) ,H01L 25/075 (2006.01) ,H01L 33/50 (2010.01) ,F21Y 103/10 (2016.01) ,F21Y 115/10 (2016.01)
[IPC code unknown for F21K 9/232][IPC code unknown for F21K 9/90]
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
25
Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices
03
all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/-H01L51/128
04
the devices not having separate containers
075
the devices being of a type provided for in group H01L33/78
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33
Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
48
characterised by the semiconductor body packages
50
Wavelength conversion elements
[IPC code unknown for F21Y 103/10][IPC code unknown for F21Y 115/10]
Applicants:
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg, DE
Inventors:
LEE, Ee Lian; MY
ECKERT, Tilman; MY
BERTRAM, Ralph; DE
NG, Kok Eng; MY
MAT NAZRI, Anuarul Ikhwan; MY
Agent:
WILHELM & BECK; Patent Attorneys Prinzenstr. 13 80639 München, DE
Priority Data:
10 2017 112 642.208.06.2017DE
Title (EN) LED FILAMENT
(FR) FILAMENT DE DEL
(DE) LED-FILAMENT
Abstract:
(EN) The invention relates to an LED filament (1) comprising a substrate (2), two electrical connections being embodied on the substrate (2) and at least two radiation-emitting semiconductor chips being arranged on the substrate (2), the semiconductor chips being electroconductively connected to the electrical connections, the substrate (2) consisting of a material transparent to electromagnetic radiation, the lower sides of the semiconductor chips being connected to the substrate (2) by means of an adhesive layer (14), the adhesive layers (14) comprising conversion material (15), the conversion material (15) being designed to offset at least one part of the wavelength of the radiation of the semiconductor chips, and the semiconductor chips comprising a conversion layer (18) on the upper sides (16) and the side surfaces (17), the conversion layers (18) being designed to offset at least one part of the wavelength of the radiation of the semiconductor chips.
(FR) L'invention concerne un filament de DEL (1) comprenant un support (2), deux connexion électriques (2) étant formées sur le support (2). Au moins deux puces à semi-conducteur électroluminescentes sont agencées sur le support (2) , les puces à semi-conducteur étant connectées de manière électro-conductrice aux connexions électriques. Le support (2) est formé d'un matériau transparent au rayonnement électromagnétique. Les faces inférieures de la puce à semi-conducteur sont reliées au support (2) par une couche adhésive (14). Les couches adhésives (14) présentent un matériau de conversion (15), le matériau de conversion (15) étant conçu pour faire glisser au moins une partie de la longueur d'onde du rayonnement de la puce à semi-conducteur, et les puces à semi-conducteur sur les faces supérieures (16) et les surfaces latérales (17) présentant une couche de conversion (18), les couches de conversion (18) étant conçues pour faire glisser au moins une partie de la longueur d'onde du rayonnement des puces à semi-conducteur.
(DE) LED-Filament (1) mit einem Träger (2), wobei zwei elektrische Anschlüsse am Träger (2) ausgebildet sind, wobei auf dem Träger (2) wenigstens zwei Strahlungsemittierende Halbleiterchips angeordnet sind, wobei die Halbleiterchips elektrisch leitend mit den elektrischen Anschlüssen verbunden sind, wobei der Träger (2) aus einem für elektromagnetische Strahlung transparenten Material gebildet ist, wobei Unterseiten der Halbleiterchips über eine Klebeschicht (14) mit dem Träger (2) verbunden sind, wobei die Klebeschichten (14) Konversionsmaterial (15) aufweisen, wobei das Konversionsmaterial (15) ausgebildet ist, um wenigstens einen Teil der Wellenlänge der Strahlung der Halbleiterchips zu verschieben, und wobei die Halbleiterchips auf Oberseiten (16) und Seitenflächen (17) eine Konversionsschicht (18) aufweisen, wobei die Konversionsschichten (18) ausgebildet sind, um wenigstens einen Teil der Wellenlänge der Strahlung der Halbleiterchips zu verschieben.
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Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)