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1. (WO2018223968) METHOD FOR CORRECTING OHMIC CONTACT REGION SHEET RESISTANCE
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Pub. No.: WO/2018/223968 International Application No.: PCT/CN2018/089988
Publication Date: 13.12.2018 International Filing Date: 05.06.2018
IPC:
H01L 21/66 (2006.01)
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21
Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
66
Testing or measuring during manufacture or treatment
Applicants:
西安电子科技大学 XIDIAN UNIVERSITY [CN/CN]; 中国陕西省西安市 太白南路2号刘长春 LIU, Changchun No.2, South Taibai Road Xi'an, Shaanxi 710071, CN
Inventors:
郑雪峰 ZHENG, Xuefeng; CN
马晓华 MA, Xiaohua; CN
郝跃 HAO, Yue; CN
董帅帅 DONG, Shuaishuai; CN
吉鹏 JI, Peng; CN
王颖哲 WANG, Yingzhe; CN
唐振凌 TANG, Zhenling; CN
王冲 WANG, Chong; CN
王士辉 WANG, Shihui; CN
Agent:
西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) XI'AN JUST IP FIRM; 中国陕西省西安市 高新区高新六路立人科技1幢1单元10401-033室刘长春 LIU, Changchun Room 10401-033, 1st Department Liren Tech 1st Building, Gaoxin 6th Road, Hitech Zone Xi'an, Shaanxi 710065, CN
Priority Data:
201710422163.207.06.2017CN
Title (EN) METHOD FOR CORRECTING OHMIC CONTACT REGION SHEET RESISTANCE
(FR) PROCÉDÉ DE CORRECTION DE LA RÉSISTANCE D'UNE FEUILLE À ZONE DE CONTACT OHMIQUE
(ZH) 欧姆接触区方块电阻的修正方法
Abstract:
(EN) The present invention relates to the technical field of testing and discloses a method for correcting ohmic contact region sheet resistance. The method comprises: calculating a resistance value RL1 between a circular ohmic electrode A1 and a second circular-ring-shaped ohmic electrode A3; calculating a resistance value RL2 between a circular ohmic electrode B1 and a second circular-ring-shaped ohmic electrode B3; and constructing, according to the resistance RL1 and the resistance RL2, an ohmic contact region sheet resistance correction formula. The method resolves the issue of an existing rectangular transmission line model (TLM) in which an error is caused when an ohmic contact region sheet resistance Rshc approximates an active region sheet resistance Rsh and the further issue therein of low test accuracy caused by the current leakage of a mesa, and moreover simplifies the complex mathematical calculations of a conventional circular transmission line model (CTLM) and reduces the large number of test patterns thereof, and quickly and accurately indicates ohmic contact region sheet resistance Rshc.
(FR) La présente invention se rapporte au champ technique des essais et concerne un procédé de correction de la résistance d'une feuille à zone de contact ohmique. Le procédé consiste : à calculer une valeur de résistance (RL1) entre une électrode ohmique circulaire (A1) et une deuxième électrode ohmique en forme d'anneau circulaire (A3); à calculer une valeur de résistance (RL2) entre une électrode ohmique circulaire (B1) et une deuxième électrode ohmique en forme d'anneau circulaire (B3); et à construire, en fonction de la résistance (RL1) et la résistance (RL2), une formule de correction de résistance de feuille de zone de contact ohmique. Le procédé résout le problème dans un modèle existant à ligne de transmission rectangulaire (TLM) dans lequel une erreur est causée lorsqu'une résistance de feuille à zone de contact ohmique (Rshc) s'approche d'une résistance de feuille de zone active (Rsh) et l'autre problème dans ce modèle de la mauvaise précision d'essai causée par la fuite de courant d'une mésa, et simplifie de plus les calculs mathématiques complexes d'un modèle existant à ligne de transmission circulaire (CTLM) et réduit son grand nombre de schémas d'essai, et indique rapidement et précisément la résistance de la feuille à zone de contact ohmique (Rshc).
(ZH) 本发明涉及测试技术领域,公开了一种欧姆接触区方块电阻的修正方法,包括:计算圆形欧姆电极A1与第二圆环形欧姆电极A3之间的电阻值RL1;计算圆形欧姆电极B1与第二圆环形欧姆电极B3之间的电阻值RL2;根据电阻RL1和电阻RL2,构建欧姆接触区方块电阻修正公式。该方法解决了现有矩形传输线模型TLM中将有源区的方块电阻Rsh近似代替欧姆接触区方块电阻Rshc时而产生的误差问题及台面漏电导致的测试精度不高的问题,同时简化了传统圆形传输线模型CTLM技术中繁杂的数学计算和测试图形较多的问题,实现了快速、准确表征欧姆接触区方块电阻Rshc的目的。
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Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)