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1. (WO2018223434) ARRAY SUBSTRATE, AND DISPLAY DEVICE
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Pub. No.: WO/2018/223434 International Application No.: PCT/CN2017/090257
Publication Date: 13.12.2018 International Filing Date: 27.06.2017
IPC:
H01L 27/12 (2006.01)
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27
Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02
including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
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the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
Applicants:
深圳市华星光电技术有限公司 SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. [CN/CN]; 中国广东省深圳市 光明新区塘明大道9-2号 No.9-2, Tangming Road, Guangming New District Shenzhen, Guangdong 518132, CN
Inventors:
余明爵 YU, Mingjue; CN
徐源竣 HSU, Yuan Jun; CN
Agent:
北京聿宏知识产权代理有限公司 YUHONG INTELLECTUAL PROPERTY LAW FIRM; 中国北京市 西城区宣武门外大街6号庄胜广场第一座西翼713室吴大建/陈伟 WU Dajian/CHEN Wei West Wing, Suite 713, One Junefield Plaza, 6 Xuanwumenwai Street, Xicheng District Beijing 100052, CN
Priority Data:
201710411433.X05.06.2017CN
Title (EN) ARRAY SUBSTRATE, AND DISPLAY DEVICE
(FR) SUBSTRAT DE RÉSEAU ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE
(ZH) 一种阵列基板及显示装置
Abstract:
(EN) An array substrate (100), and display device. The array substrate (100) comprises a substrate (10), a buffer layer (11), and an active layer (12) sequentially arranged. The active layer (12) comprises a first active region (121) and a second active region (122). A conductive channel (1211) of the first active region (121) is formed by low-temperature polysilicon. A conductive channel of the second active region (122) is formed by an oxide semiconductor. The display device comprises the array substrate (100). By employing a low-temperature polysilicon material to form the conductive channel material of the first active region, and an oxide semiconductor material to form the conductive channel material of the second active region, the present invention enables the array substrate to have a fast switching speed and high light emission uniformity.
(FR) La présente invention concerne un substrat de réseau (100) et un dispositif d'affichage. Le substrat de réseau (100) comprend un substrat (10), une couche tampon (11) et une couche active (12) agencés séquentiellement. La couche active (12) comporte une première région active (121) et une seconde région active (122). Un canal conducteur (1211) de la première région active (121) est formé par du polysilicium basse température. Un canal conducteur de la seconde région active (122) est formé par un semi-conducteur à oxyde. Le dispositif d'affichage comprend le substrat de réseau(100). En utilisant un matériau de polysilicium basse température pour former le matériau de canal conducteur de la première région active, et un matériau semi-conducteur à oxyde pour former le matériau de canal conducteur de la seconde région active, la présente invention permet au substrat de réseau d'avoir une vitesse de commutation rapide et une uniformité d'émission de lumière élevée.
(ZH) 一种阵列基板(100)和显示装置,该阵列基板(100)包括依次设置的基板(10)、缓冲层(11)和有源层(12),有源层(12)包括第一有源区(121)、第二有源区(122),其中,第一有源区(121)的导电沟道(1211)由低温多晶硅组成,第二有源区(122)的导电沟道由氧化物半导体组成。该显示装置包括该阵列基板(100)。通过将低温多晶硅材料作为第一有源区的导电沟道材料,同时将氧化物半导体材料作为第二有源区的导电沟道材料,使该阵列基板具有快的开关速度和高的发光均一性。
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Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)