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1. (WO2018222586) REDUCING OR AVOIDING MECHANICAL STRESS IN STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (SRAM) STRAP CELLS
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Pub. No.: WO/2018/222586 International Application No.: PCT/US2018/034875
Publication Date: 06.12.2018 International Filing Date: 29.05.2018
IPC:
H01L 27/02 (2006.01) ,G11C 11/412 (2006.01) ,H01L 27/11 (2006.01)
[IPC code unknown for H01L 27/02][IPC code unknown for G11C 11/412][IPC code unknown for H01L 27/11]
Applicants:
QUALCOMM INCORPORATED [US/US]; ATTN: International IP Administration 5775 Morehouse Drive San Diego, California 92121-1714, US
Inventors:
CHOI, Youn Sung; US
SENGUPTA, Samit; US
EKBOTE, Shashank; US
Agent:
TERRANOVA, Steven, N.; US
Priority Data:
15/609,50531.05.2017US
Title (EN) REDUCING OR AVOIDING MECHANICAL STRESS IN STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (SRAM) STRAP CELLS
(FR) RÉDUCTION OU EMPÊCHEMENT DE CONTRAINTE MÉCANIQUE DANS DES CELLULES DE SANGLE DE MÉMOIRE VIVE STATIQUE (SRAM)
Abstract:
(EN) Aspects for reducing or avoiding mechanical stress in static random access memory (SRAM) strap cells are disclosed herein. An exemplary SRAM strap cell includes a P-type doped well (Pwell) tap electrically coupled to a first supply rail to distribute a first supply voltage to a Pwell region of corresponding SRAM bit cell rows. The SRAM strap cell also includes an N-type doped well (Nwell) tap electrically coupled to a second supply rail to distribute a second supply voltage to an Nwell region of corresponding SRAM bit cell rows. In one exemplary aspect, the Nwell tap can include multiple supply contacts used to couple the second supply rail to the SRAM strap cell to reduce mechanical stress in the Nwell tap. In another exemplary aspect, the Pwell tap can include non-active gates disposed across multiple Fins to stabilize the Fins and reduce or avoid mechanical stress in the Pwell tap.
(FR) L'invention concerne des aspects permettant de réduire ou empêcher une contrainte mécanique dans des cellules de sangle de mémoire vive statique (SRAM). Par exemple, une cellule de sangle de mémoire SRAM comprend une prise de puits dopé de type P (Pwell) connectée électriquement à un premier rail d'alimentation pour distribuer une première tension d'alimentation à une région Pwell de rangées correspondantes de cellules binaires de mémoire SRAM. La cellule de sangle de mémoire SRAM comprend également une prise de puits dopé de type N (Nwell) connectée électriquement à un deuxième rail d'alimentation pour distribuer une deuxième tension d'alimentation à une région Nwell de rangées correspondantes de cellules binaires de mémoire SRAM. Dans un aspect donné à titre d'exemple, la prise Nwell peut comprendre de multiples contacts d'alimentation utilisés pour connecter le deuxième rail d'alimentation à la cellule de sangle de mémoire SRAM afin de réduire une contrainte mécanique dans la prise Nwell. Dans un autre aspect donné à titre d'exemple, la prise Pwell peut comprendre des gâchettes non actives disposées sur de multiples ailettes pour stabiliser les ailettes et réduire ou empêcher une contrainte mécanique dans la prise Pwell.
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Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)