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1. (WO2018222187) MICROELECTRONIC PACKAGE HAVING ELECTROMAGNETIC INTERFERENCE SHIELDING
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Pub. No.: WO/2018/222187 International Application No.: PCT/US2017/035273
Publication Date: 06.12.2018 International Filing Date: 31.05.2017
IPC:
H01L 23/552 (2006.01) ,H01L 23/00 (2006.01)
[IPC code unknown for H01L 23/552][IPC code unknown for H01L 23]
Applicants:
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054, US
Inventors:
WENG, Li-Sheng; US
CHEN, Chung-Hao; US
MATAYABAS, JR., James C.; US
TANG, Min Keen; MY
Agent:
WINKLE, Robert G.; US
Priority Data:
Title (EN) MICROELECTRONIC PACKAGE HAVING ELECTROMAGNETIC INTERFERENCE SHIELDING
(FR) BOÎTIER MICROÉLECTRONIQUE AYANT UN BLINDAGE CONTRE LES INTERFÉRENCES ÉLECTROMAGNÉTIQUES
Abstract:
(EN) A microelectronic package may be fabricated with a microelectronic substrate, a microelectronic die electrically attached to the microelectronic substrate, and an electromagnetic interference shield layer contacting one or both of the microelectronic substrate and the microelectronic die, wherein the electromagnetic interference shield layer has an electrical conductivity between about 10,000 siemens per meter and 100,000 siemens per meter. The specific range of electrical conductivity results in electromagnetic fields either generated by the microelectronic die or generated by components external to the microelectronic package scattering within the electromagnetic interference shield layer and attenuating. Thus, the electromagnetic interference shield layer can prevent electromagnetic field interference without the need to be grounded.
(FR) L'invention concerne un boîtier microélectronique pouvant être fabriqué avec un substrat microélectronique, une puce microélectronique fixée électriquement au substrat microélectronique, et une couche de blindage contre les interférences électromagnétiques en contact avec l'un ou les deux parmi le substrat microélectronique et la puce microélectronique, la couche de blindage contre les interférences électromagnétiques présentant une conductivité électrique comprise entre environ 10000 siemens par mètre et 100000 siemens par mètre. La plage spécifique de conductivité électrique conduit à des champs électromagnétiques soit générés par la puce microélectronique, soit générés par des composants externes au boîtier microélectronique diffusant à l'intérieur de la couche de blindage contre les interférences électromagnétiques et atténuant. Ainsi, la couche de blindage contre les interférences électromagnétiques peut empêcher une interférence de champ électromagnétique sans avoir besoin d'être mise à la terre.
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Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)