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1. (WO2018220879) SEMICONDUCTOR DEVICE
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Pub. No.: WO/2018/220879 International Application No.: PCT/JP2017/038825
Publication Date: 06.12.2018 International Filing Date: 26.10.2017
IPC:
H01L 29/78 (2006.01) ,H01L 21/8234 (2006.01) ,H01L 27/06 (2006.01) ,H01L 29/739 (2006.01) ,H01L 29/861 (2006.01) ,H01L 29/868 (2006.01)
[IPC code unknown for H01L 29/78][IPC code unknown for H01L 21/8234][IPC code unknown for H01L 27/06][IPC code unknown for H01L 29/739][IPC code unknown for H01L 29/861][IPC code unknown for H01L 29/868]
Applicants:
富士電機株式会社 FUJI ELECTRIC CO., LTD. [JP/JP]; 神奈川県川崎市川崎区田辺新田1番1号 1-1, Tanabeshinden, Kawasaki-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2109530, JP
Inventors:
内藤 達也 NAITO Tatsuya; JP
Agent:
龍華国際特許業務法人 RYUKA IP LAW FIRM; 東京都新宿区西新宿1-6-1 新宿エルタワー22階 22F, Shinjuku L Tower, 1-6-1, Nishi-Shinjuku, Shinjuku-ku, Tokyo 1631522, JP
Priority Data:
2017-10770231.05.2017JP
Title (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置
Abstract:
(EN) Provided is a semiconductor device comprising a semiconductor substrate having a drift region of a first conductivity type, a first trench section provided from the upper surface of the semiconductor substrate to the interior of the semiconductor substrate, a base region of a second conductivity type provided between the drift region and the upper surface of the semiconductor substrate and adjacent to the first trench section, a first accumulation region of the first conductivity type provided between the drift region and the base region and having a higher doping concentration than that of the drift region, a second accumulation region of the first conductivity type provided at a deeper position than the first accumulation region and having a higher doping concentration than that of the drift region, and an intermediate region of the second conductivity type provided between the first accumulation region and the second accumulation region, wherein the second accumulation region has a first open section provided at a deeper position than the first accumulation region.
(FR) L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur comprenant un substrat semi-conducteur ayant une région de dérive d'un premier type de conductivité, une première section de tranchée disposée à partir de la surface supérieure du substrat semi-conducteur vers l'intérieur du substrat semi-conducteur, une région de base d'un second type de conductivité disposée entre la région de dérive et la surface supérieure du substrat semi-conducteur et adjacente à la première section de tranchée, une première région d'accumulation du premier type de conductivité disposée entre la région de dérive et la région de base et ayant une concentration de dopage supérieure à celle de la région de dérive, une seconde région d'accumulation du premier type de conductivité disposée à une position plus profonde que la première région d'accumulation et ayant une concentration de dopage supérieure à celle de la région de dérive, et une région intermédiaire du second type de conductivité disposée entre la première région d'accumulation et la seconde région d'accumulation, la seconde région d'accumulation ayant une première section ouverte disposée à une position plus profonde que la première région d'accumulation.
(JA) 第1導電型のドリフト領域を有する半導体基板と、半導体基板の上面から半導体基板の内部まで設けられた第1のトレンチ部と、半導体基板の上面とドリフト領域との間において第1のトレンチ部と隣接して設けられた第2導電型のベース領域と、ベース領域とドリフト領域との間に設けられ、ドリフト領域よりもドーピング濃度の高い第1導電型の第1の蓄積領域と、第1の蓄積領域より深い位置に設けられた、ドリフト領域よりもドーピング濃度の高い第1導電型の第2の蓄積領域と、第1の蓄積領域と第2の蓄積領域との間に設けられた第2導電型の中間領域とを備え、第2の蓄積領域は、第1の蓄積領域より深い位置に設けられた第1の開口部を有する半導体装置を提供する。
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Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)