Some content of this application is unavailable at the moment.
If this situation persist, please contact us atFeedback&Contact
1. (WO2018220796) METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau    Submit observation

Pub. No.: WO/2018/220796 International Application No.: PCT/JP2017/020480
Publication Date: 06.12.2018 International Filing Date: 01.06.2017
IPC:
H01L 21/027 (2006.01) ,G03F 7/26 (2006.01) ,G03F 7/40 (2006.01)
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21
Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02
Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
027
Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing, not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34165
G PHYSICS
03
PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
F
PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
7
Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printed surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
26
Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
G PHYSICS
03
PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
F
PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
7
Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printed surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
26
Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
40
Treatment after imagewise removal, e.g. baking
Applicants:
三菱電機株式会社 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内二丁目7番3号 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310, JP
Inventors:
上野 貴寛 UENO, Takahiro; JP
玉田 尚久 TAMADA, Naohisa; JP
北川 寛士 KITAGAWA, Motoshi; JP
Agent:
高田 守 TAKADA, Mamoru; JP
高橋 英樹 TAKAHASHI, Hideki; JP
Priority Data:
Title (EN) METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 半導体装置の製造方法
Abstract:
(EN) In order to reduce the dimensions of an electrode pattern while suppressing the occurrence of defects and the like, this method of manufacturing a semiconductor device is provided with: a step for applying a resist on an upper surface (10) of a substrate (11); a step for forming an opening (13) in the resist; a shrink agent applying step for applying a heat-shrinkable shrink agent on the resist (12) and filling the opening (13); a shrinking step for heat-shrinking the shrink agent so as to reduce the width of the opening (13); a removing step for removing the shrink agent after the shrinking step; a metal layer forming step for forming a metal layer (18) on the resist (12) and the opening (13) after the removing step; and a step for removing the metal layer (18) on the resist (12), and the resist (12), wherein in the shrinking step, side surfaces of the resist (12) forming the opening (13) are formed such that the side surfaces are curved to protrude toward the center of the opening (13) from central portions in the thickness direction of the resist (12).
(FR) Afin de réduire les dimensions d'un motif d'électrode tout en supprimant l'apparition de défauts et similaires, l'invention porte sur un procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteurs comprenant : une étape consistant à appliquer une résine photosensible sur une surface supérieure (10) d'un substrat (11) ; une étape consistant à former une ouverture (13) dans la résine photosensible ; une étape d'application d'agent de rétraction consistant à appliquer un agent de rétraction thermorétractable sur la résine photosensible (12) et à remplir l'ouverture (13) ; une étape de rétraction consistant à thermorétracter l'agent de rétraction de façon à réduire la largeur de l'ouverture (13) ; une étape d'élimination consistant à éliminer l'agent de rétraction après l'étape de rétraction ; une étape de formation de couche métallique consistant à former une couche métallique (18) sur la résine photosensible (12) et l'ouverture (13) après l'étape d'élimination ; et une étape consistant à éliminer la couche métallique (18) sur la résine photosensible (12), et la résine photosensible (12). À l'étape de rétraction, des surfaces latérales de la résine photosensible (12) formant l'ouverture (13) sont formées de telle sorte que les surfaces latérales sont incurvées pour faire saillie vers le centre de l'ouverture (13) à partir de parties centrales dans la direction de l'épaisseur de la résine photosensible (12).
(JA) 欠陥等の発生等を抑制しながら電極パターンの寸法を縮小するために、基板(11)の上面(10)にレジストを塗布する工程と、レジストに開口部(13)を形成する工程と、レジスト(12)の上に熱収縮するシュリンク剤を塗布し、開口部(13)を埋め込むシュリンク剤塗布工程と、シュリンク剤を加熱し熱収縮させることで、開口部(13)の幅を狭める収縮工程と、収縮工程の後にシュリンク剤を除去する除去工程と、除去工程の後に、レジスト(12)の上と開口部(13)にメタル層(18)を形成するメタル層形成工程と、メタル層(18)のうちレジスト(12)の上の部分と、レジスト(12)と、を除去する工程と、を備える半導体装置の製造方法において、収縮工程では、開口部(13)を形成するレジスト(12)の側面が、レジスト(12)の厚さ方向の中央部において開口部(13)の中心部に向かって突出した曲面を形成するようにした。
front page image
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)