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1. (WO2018219681) OPTOELECTRONIC COMPONENT AND METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC COMPONENT
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Pub. No.: WO/2018/219681 International Application No.: PCT/EP2018/063003
Publication Date: 06.12.2018 International Filing Date: 17.05.2018
IPC:
H01L 33/38 (2010.01) ,H01L 33/30 (2010.01) ,H01L 33/02 (2010.01) ,H01L 33/14 (2010.01)
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33
Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
36
characterised by the electrodes
38
with a particular shape
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33
Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02
characterised by the semiconductor bodies
26
Materials of the light emitting region
30
containing only elements of group III and group V of the periodic system
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33
Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02
characterised by the semiconductor bodies
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33
Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02
characterised by the semiconductor bodies
14
with a carrier transport control structure, e.g. highly-doped semiconductor layer or current-blocking structure
Applicants:
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg, DE
Inventors:
SUNDGREN, Petrus; DE
SCHMID, Wolfgang; DE
Agent:
EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München, DE
Priority Data:
10 2017 112 127.701.06.2017DE
Title (EN) OPTOELECTRONIC COMPONENT AND METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC COMPONENT
(FR) COMPOSANT OPTOÉLECTRONIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN COMPOSANT OPTOÉLECTRONIQUE
(DE) OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS
Abstract:
(EN) The invention relates to an optoelectronic component (1) which has a semiconductor layer sequence (10) having a first semiconductor layer (101) of a first conductivity type, a second semiconductor layer (102), and an active layer (103) suitable for generating electromagnetic radiation, the active layer (103) being arranged between the first semiconductor layer (101) and the second semiconductor layer (102). The optoelectronic component also has a recess (150) in the first semiconductor layer (101). A front side (10A) for outputting the electromagnetic radiation, and a first electrical connection layer (121) and a second electrical connection layer (122) which are arranged on a rear side (10B) opposite the front side are also provided, wherein the first electrical connection layer (121) is arranged at least partially in the recess (150). Adjacent to the recess (150) there is a contact zone (180) of a second conductivity type which is different from the first conductivity type. The invention also relates to a method for producing the optoelectronic component (1).
(FR) L'invention concerne un composant optoélectronique (1), qui comprend une séquence de couches semi-conductrices (10) comportant une première couche semi-conductrice (101), d'un premier type de conductivité, une deuxième couche semi-conductrice (102), et une couche active (103), adaptée à générer un rayonnement électromagnétique, la couche active (103) étant disposée entre la première couche semi-conductrice (101) et la deuxième couche semi-conductrice (102). En outre, le composant optoélectronique comporte un évidement (150) dans la première couche semi-conductrice (101). En outre, le composant optoélectronique est pourvu d'une face avant (10A), destinée au découplage du rayonnement électromagnétique, d'une première couche de connexion électrique (121) et d'une deuxième couche de connexion électrique (122), qui sont agencées sur une face arrière (10B) opposée à la face avant, la première couche de connexion électrique (121) étant au moins partiellement disposée dans l'évidement (150). Une zone de contact (180) d'un deuxième type de conductivité, différent du premier type de conductivité, est adjacente à l'évidement (150). La présente invention concerne en outre un procédé de fabrication d'un composant optoélectronique (1).
(DE) Es wird ein optoelektronisches Bauelement angegeben (1), das eine Halbleiterschichtenfolge (10) mit einer ersten Halbleiterschicht (101) eines ersten Leitungstyps, einer zweiten Halbleiterschicht (102) und eine zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung geeignete aktive Schicht (103) aufweist, wobei die aktive Schicht (103) zwischen der ersten Halbleiterschicht (101) und der zweiten Halbleiterschicht (102) angeordnet ist. Ferner weist das optoelektronische Bauelement eine Aussparung (150) in der ersten Halbleiterschicht (101) auf. Weiterhin ist eine Vorderseite (10A) zur Auskopplung der elektromagnetischen Strahlung, eine erste elektrische Anschlussschicht (121) und eine zweite elektrische Anschlussschicht (122), die an einer der Vorderseite gegenüberliegenden Rückseite (10B) angeordnet sind vorgesehen, wobei die erste elektrische Anschlussschicht (121) zumindest teilweise in der Aussparung (150) angeordnet ist. Eine Kontaktzone (180) eines vom ersten Leitungstyp verschiedenen zweiten Leitungstyps, grenzt an die Aussparung (150) an. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung des optoelektronischen Bauelements (1) angegeben.
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Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)