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1. (WO2018218964) DEVICE FOR TEMPERATURE MEASUREMENT
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Pub. No.: WO/2018/218964 International Application No.: PCT/CN2018/070036
Publication Date: 06.12.2018 International Filing Date: 02.01.2018
IPC:
G01K 7/01 (2006.01) ,G09G 3/00 (2006.01)
G PHYSICS
01
MEASURING; TESTING
K
MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
7
Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat
01
using semiconducting elements having PN junctions
G PHYSICS
09
EDUCATING; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
G
ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
3
Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
Applicants:
京东方科技集团股份有限公司 BOE TECHNOLOGY GROUP CO., LTD. [CN/CN]; 中国北京市 朝阳区酒仙桥路10号 No.10 Jiuxianqiao Rd., Chaoyang District Beijing 100015, CN
Inventors:
赵利军 ZHAO, Lijun; CN
王海生 WANG, Haisheng; CN
刘英明 LIU, Yingming; CN
许睿 XU, Rui; CN
李昌峰 LI, Changfeng; CN
贾亚楠 JIA, Yanan; CN
王鹏鹏 WANG, Pengpeng; CN
郑智仁 CHENG, Chih-Jen; CN
Agent:
北京市中咨律师事务所 ZHONGZI LAW OFFICE; 中国北京市 西城区平安里西大街26号新时代大厦7层 7F, New Era Building, 26 Pinganli Xidajie, Xicheng District Beijing 100034, CN
Priority Data:
201710407940.602.06.2017CN
Title (EN) DEVICE FOR TEMPERATURE MEASUREMENT
(FR) DISPOSITIF DE MESURE DE TEMPERATURE
(ZH) 用于温度检测的装置
Abstract:
(EN) A device for temperature measurement, comprising: a delay unit (10), which comprises an odd number of phase inverters (INV1-INV5) which are coupled end-to-end; a switching transistor (Tsw), having a control electrode thereof coupled to an output end (B) of the delay unit (10), a first electrode coupled to a working voltage node (VDD) of the device, and a second electrode coupled to an input end (A) of the delay unit (10); a first capacitor (C1), having a first end thereof coupled to the input end (A) of the delay unit (10), and a second end coupled to a first electrode of the switching transistor (Tsw) or a grounding node (VSS) of the device; a temperature-sensitive transistor (Tsen), having a control electrode thereof coupled to a bias voltage end (Vth) of the device, a first electrode coupled to the input end (A) of the delay unit (10), and a second electrode coupled to the grounding node (VSS) of the device; an active region of at least one transistor (TFT1, TFT2) in the phase inverters (INV1-INV5) comprising a semiconducting material having an electron mobility ranging from 0.1 cm2V-1s-1 to 20 cm2V1s-1. The measurement device can improve the sensitivity of temperature measurement.
(FR) Un dispositif de mesure de température, selon l'invention, comprend : une unité de retard (10) qui comprend un nombre impair d'inverseurs de phase (INV1-INV5) qui sont couplés bout à bout; un transistor de commutation (Tsw), dont une électrode de commande est couplée à une extrémité de sortie (B) de l'unité de retard (10), une première électrode couplée à un noeud de tension de fonctionnement (VDD) du dispositif, et une seconde électrode couplée à une extrémité d'entrée (A) de l'unité de retard (10); un premier condensateur (C1), dont une première extrémité est couplée à l'extrémité d'entrée (A) de l'unité de retard (10), et une seconde extrémité couplée à une première électrode du transistor de commutation (Tsw) ou à un noeud de mise à la terre (VSS) du dispositif; un transistor sensible à la température (Tsen), dont une électrode de commande est couplée à une extrémité de tension de polarisation (Vth) du dispositif, une première électrode couplée à l'extrémité d'entrée (A) de l'unité de retard (10), et une seconde électrode couplée au noeud de mise à la terre (VSS) du dispositif; une région active d'au moins un transistor (TFT1, TFT2) dans les inverseurs de phase (INV1-INV5) comprenant un matériau semi-conducteur ayant une mobilité d'électrons comprise dans la plage de 0,1cm2V-1s-1 à 20 cm2V1s-1. Le dispositif de mesure peut améliorer la sensibilité de mesure de température.
(ZH) 一种用于温度检测的装置,包括:延迟单元(10),其包括奇数个首尾耦接的反相器(INV 1-INV 5);开关晶体管(T sw),其控制极与延迟单元(10)的输出端(B)耦接,第一极与所述装置的工作电压节点(VDD)耦接,以及第二极与延迟单元(10)的输入端(A)耦接;第一电容器(C 1),其第一端与延迟单元(10)的输入端(A)耦接,以及第二端与开关晶体管(T sw)的第一极或装置的接地节点(VSS)耦接;以及温敏晶体管(T sen),其控制极与装置的偏置电压端(V th)耦接,第一极与延迟单元(10)的输入端(A)耦接,以及第二极与装置的接地节点(VSS)耦接;其中,反相器(INV 1-INV 5)中的至少一个晶体管(TFT 1,TFT 2)的有源区包括具有0.1cm 2V -1s -1至20cm 2V -1s -1之间的电子迁移率的半导体材料。这一检测装置能够提高用于温度检测的灵敏度。
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Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)