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1. (WO2018205430) MAGNETRON SPUTTERING CAVITY FOR THROUGH-SILICON-VIA FILLING AND SEMICONDUCTOR PROCESSING DEVICE
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Pub. No.: WO/2018/205430 International Application No.: PCT/CN2017/095587
Publication Date: 15.11.2018 International Filing Date: 02.08.2017
IPC:
H01L 21/67 (2006.01) ,C23C 14/35 (2006.01) ,C23C 14/16 (2006.01)
[IPC code unknown for H01L 21/67][IPC code unknown for C23C 14/35][IPC code unknown for C23C 14/16]
Applicants:
北京北方华创微电子装备有限公司 BEIJING NAURA MICROELECTRONICS EQUIPMENT CO., LTD. [CN/CN]; 中国北京市 北京经济技术开发区文昌大道8号 No. 8 Wenchang Avenue Beijing Economic-Technological Development Area Beijing 100176, CN
Inventors:
侯珏 HOU, Jue; CN
王厚工 WANG, Hougong; CN
丁培军 DING, Peijun; CN
Agent:
北京天昊联合知识产权代理有限公司 TEE&HOWE INTELLECTUAL PROPERTY ATTORNEYS; 中国北京市 东城区建国门内大街28号民生金融中心D座10层张天舒 ZHANG, Tianshu 10th Floor, Tower D, Minsheng Financial Center 28 Jianguomennei Avenue, Dongcheng District Beijing 100005, CN
Priority Data:
201710327078.810.05.2017CN
Title (EN) MAGNETRON SPUTTERING CAVITY FOR THROUGH-SILICON-VIA FILLING AND SEMICONDUCTOR PROCESSING DEVICE
(FR) CAVITÉ DE PULVÉRISATION MAGNÉTRON POUR REMPLISSAGE DE TROU D'INTERCONNEXION TRAVERSANT LE SILICIUM ET DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SEMI-CONDUCTEUR
(ZH) 用于硅通孔填充的磁控溅射腔室和半导体处理设备
Abstract:
(EN) A magnetron sputtering cavity for through-silicon-via filling and a semiconductor processing device. The magnetron sputtering cavity comprises a cavity, a target (2) provided at the top of the cavity, a magnetron (1) provided above the target (2), and a base (3) provided inside the cavity and located below the target (2); the area of a projection of the magnetron (1) on a plane where the target (2) is located is less than or equal to one fifth of the area of the target to improve the ionization rate of a dielectric gas so as to improve the filling rate for the through-silicon-via (41). The semiconductor processing device comprises the magnetron sputtering cavity. The magnetron sputtering cavity and the semiconductor processing device improve the filling rate of the through-silicon-via.
(FR) L'invention concerne une cavité de pulvérisation magnétron pour remplissage de trou d'interconnexion traversant le silicium et un dispositif de traitement de semi-conducteur. La cavité de pulvérisation magnétron comprend une cavité, une cible (2) disposée au sommet de la cavité, un magnétron (1) disposé au-dessus de la cible (2), et une base (3) disposée à l'intérieur de la cavité et située au-dessous de la cible (2); la zone d'une projection du magnétron (1) sur un plan où la cible (2) est située est inférieure ou égale à un cinquième de la zone de la cible pour améliorer le taux d'ionisation d'un gaz diélectrique de façon à améliorer le taux de remplissage du trou d'interconnexion traversant le silicium (41). Le dispositif de traitement de semi-conducteur comprend la cavité de pulvérisation magnétron. La cavité de pulvérisation magnétron et le dispositif de traitement de semi-conducteur améliorent le taux de remplissage du trou d'interconnexion traversant le silicium.
(ZH) 一种用于硅通孔填充的磁控溅射腔室和半导体处理设备。磁控溅射腔室包括腔体、设置于腔体顶部的靶材(2)、设置于靶材(2)上方的磁控管(1)、以及设置于腔体内部且位于靶材(2)下方的基座(3),磁控管(1)在靶材(2)所在平面上的投影的面积小于等于五分之一的靶材面积,以提高介质气体的离化率,从而提高对硅通孔(41)的填充速率。半导体处理设备包括磁控溅射腔室。磁控溅射腔室和半导体处理设备,均提高了对硅通孔的填充速率。
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Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)