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1. (WO2018204731) METROLOGY GUIDED INSPECTION SAMPLE SHAPING FROM OPTICAL INSPECTION RESULTS
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Pub. No.: WO/2018/204731 International Application No.: PCT/US2018/031002
Publication Date: 08.11.2018 International Filing Date: 04.05.2018
IPC:
H01L 21/66 (2006.01) ,G01Q 90/00 (2010.01)
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21
Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
66
Testing or measuring during manufacture or treatment
G PHYSICS
01
MEASURING; TESTING
Q
SCANNING-PROBE TECHNIQUES OR APPARATUS; APPLICATIONS OF SCANNING-PROBE TECHNIQUES, e.g. SCANNING-PROBE MICROSCOPY [SPM]
90
Scanning-probe techniques or apparatus not otherwise provided for
Applicants:
KLA-TENCOR CORPORATION [US/US]; Legal Department One Technology Drive Milpitas, California 95035, US
Inventors:
SAH, Kaushik; BE
CROSS, Andrew James; GB
MANI, Antonio; BE
Agent:
MCANDREWS, Kevin; US
MORRIS, Elizabeth M.N; US
Priority Data:
15/671,23008.08.2017US
62/502,45905.05.2017US
Title (EN) METROLOGY GUIDED INSPECTION SAMPLE SHAPING FROM OPTICAL INSPECTION RESULTS
(FR) MISE EN FORME D'ÉCHANTILLON D'INSPECTION GUIDÉE PAR LA MÉTROLOGIE À PARTIR DE RÉSULTATS D'INSPECTION OPTIQUE
Abstract:
(EN) Information from metrology tools can be used during inspection or review with a scanning electron microscope. Metrology measurements of a wafer are interpolated and/or extrapolated over a field, which creates modified metrology data. The modified metrology data is associated with defect attributes from inspection measurements of a wafer. A wafer review sampling plan is generated based on the defect attributes and the modified metrology data. The wafer review sampling plan can be used during review of a wafer using the scanning electron microscope.
(FR) Des informations en provenance d'outils de métrologie peuvent être utilisées pendant une inspection ou un examen avec un microscope électronique à balayage. Des mesures de métrologie d'une plaquette sont interpolées et/ou extrapolées sur un champ, ce qui crée des données de métrologie modifiées. Les données de métrologie modifiées sont associées à des attributs de défauts en provenance de mesures d'inspection d'une plaquette. Un plan d'échantillonnage d'examen de plaquette est généré sur la base des attributs de défauts et des données de métrologie modifiées. Le plan d'échantillonnage d'examen de plaquette peut être utilisé pendant l'examen d'une plaquette à l'aide du microscope électronique à balayage.
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Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)