Some content of this application is unavailable at the moment.
If this situation persist, please contact us atFeedback&Contact
1. (WO2018200133) ARRAYS OF ELEVATIONALLY-EXTENDING STRINGS OF MEMORY CELLS AND METHODS OF FORMING MEMORY ARRAYS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau    Submit observation

Pub. No.: WO/2018/200133 International Application No.: PCT/US2018/025716
Publication Date: 01.11.2018 International Filing Date: 02.04.2018
IPC:
H01L 27/11556 (2017.01) ,H01L 27/11524 (2017.01) ,H01L 27/11529 (2017.01) ,H01L 27/11582 (2017.01) ,H01L 27/1157 (2017.01) ,H01L 27/11573 (2017.01)
[IPC code unknown for ERROR IPC Code incorrect: invalid subgroup (0=>999999)!][IPC code unknown for ERROR IPC Code incorrect: invalid subgroup (0=>999999)!][IPC code unknown for ERROR IPC Code incorrect: invalid subgroup (0=>999999)!][IPC code unknown for ERROR IPC Code incorrect: invalid subgroup (0=>999999)!][IPC code unknown for H01L 27/1157][IPC code unknown for ERROR IPC Code incorrect: invalid subgroup (0=>999999)!]
Applicants:
MICRON TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 8000 South Federal Way Boise, ID 83716, US
Inventors:
SANDHU, Gurtej, S.; US
HILL, Richard, J.; US
SMYTHE, John, A.; US
Agent:
MATKIN, Mark, S.; US
LATWESEN, David, G.; US
SHAURETTE, James, D.; US
GRZELAK, Keith, D.; US
HENDRICKSEN, Mark, W.; US
Priority Data:
15/581,76228.04.2017US
Title (EN) ARRAYS OF ELEVATIONALLY-EXTENDING STRINGS OF MEMORY CELLS AND METHODS OF FORMING MEMORY ARRAYS
(FR) RÉSEAUX DE CHAÎNES DE CELLULES DE MÉMOIRE S'ÉTENDANT EN HAUTEUR ET PROCÉDÉ DE FORMATION DE RÉSEAUX DE MÉMOIRE
Abstract:
(EN) An array of elevationally-extending strings of memory cells comprises a vertical stack of alternating insulative levels and wordline levels. The wordline levels have terminal ends corresponding to control-gate regions. Charge-storage material of individual memory cells extend elevationally along individual of the control-gate regions of the wordline levels and do not extend elevationally along the insulative levels. A charge-blocking region of the individual memory cells extends elevationally along the individual control-gate regions of the wordline levels laterally through which charge migration between the individual control-gate regions and the charge-storage material is blocked. Channel material extends elevationally along the stack and is laterally spaced from the charge-storage material by insulative charge-passage material. All of the charge- storage material of individual of the elevationally-extending strings of memory cells is laterally outward of all of the insulative charge-passage material of the individual elevationally-extending strings of memory cells. Other embodiments, including method embodiments, are disclosed.
(FR) L'invention concerne un réseau de chaînes de cellules de mémoire s'étendant en hauteur comprenant un empilement vertical de niveaux d'isolation et de niveaux de canaux de mots en alternance. Les niveaux de canaux de mots ont des extrémités terminales correspondant à des régions de grille de commande. Un matériau de stockage de charge de cellules de mémoire individuelles s'étend en hauteur le long de régions individuelles des régions de grille de commande des niveaux de canaux de mots et ne s'étend pas en hauteur le long des niveaux d'isolation. Une région de blocage de charge des cellules de mémoire individuelles s'étend en hauteur le long des régions de grille de commande individuelles des niveaux de canaux de mots dans le sens latéral au travers desquels la migration de charge entre les régions de grille de commande individuelles et le matériau de stockage de charge est bloquée. Le matériau de canal s'étend en hauteur le long de l'empilement et est espacé dans le sens latéral par rapport au matériau de stockage de charge par un matériau de passage de charge d'isolation. La totalité du matériau de stockage de charge des chaînes individuelles des chaînes de cellules de mémoire s'étendant en hauteur est dirigée dans le sens latéral vers l'extérieur par rapport à la totalité du matériau de passage de charge d'isolation des chaînes individuelles de cellules de mémoire s'étendant en hauteur. L'invention concerne d'autres modes de réalisation, y compris des modes de réalisation de procédés.
front page image
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)