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1. (WO2018198957) SEMICONDUCTOR DEVICE
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Pub. No.: WO/2018/198957 International Application No.: PCT/JP2018/016267
Publication Date: 01.11.2018 International Filing Date: 20.04.2018
IPC:
H01L 25/07 (2006.01) ,H01L 23/48 (2006.01) ,H01L 25/18 (2006.01)
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
25
Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices
03
all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/-H01L51/128
04
the devices not having separate containers
07
the devices being of a type provided for in group H01L29/78
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23
Details of semiconductor or other solid state devices
48
Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads or terminal arrangements
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
25
Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices
18
the devices being of types provided for in two or more different subgroups of the same main group of groups H01L27/-H01L51/160
Applicants:
ローム株式会社 ROHM CO., LTD. [JP/JP]; 京都府京都市右京区西院溝崎町21番地 21, Saiin Mizosaki-cho, Ukyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6158585, JP
Inventors:
金武 康雄 KANETAKE Yasuo; JP
大嶽 浩隆 OTAKE Hirotaka; JP
Agent:
吉田 稔 YOSHIDA Minoru; JP
臼井 尚 USUI Takashi; JP
Priority Data:
2017-08539124.04.2017JP
Title (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置
Abstract:
(EN) A semiconductor device provided by one aspect of the present disclosure includes a switching element, a substrate, a surface electroconductive layer, first through third terminals, and a sealing resin. The first through third terminals project on the same side from the sealing resin along a first direction, which is perpendicular to the thickness direction of the substrate. The first through third terminals are set apart from each other in a second direction, which is perpendicular to both the thickness direction and the first direction. From among the first through third terminals, the first terminal is located outermost with respect to the second direction. The sealing resin has a root side part and a distal end side part. The root side part is located on the switching element side of the first terminal and the third terminal with respect to the first direction, between the first terminal and the third terminal with respect to the second direction. The tip side part is located on the distal end side, exposed from the sealing resin, of the first and third terminals with respect to the first direction.
(FR) Un dispositif à semi-conducteur selon un aspect de la présente invention comprend un élément de commutation, un substrat, une couche électroconductrice de surface, des première à troisième bornes et une résine d'étanchéité. Les première à troisième bornes font saillie sur le même côté de la résine d'étanchéité le long d'une première direction, qui est perpendiculaire à la direction de l'épaisseur du substrat. Les première à troisième bornes sont espacées les unes des autres dans une seconde direction, qui est perpendiculaire à la fois à la direction de l'épaisseur et à la première direction. Parmi les première à troisième bornes, la première borne est située le plus à l'extérieur par rapport à la seconde direction. La résine d'étanchéité a une partie côté de base et une partie latérale d'extrémité distale La partie côté de base est située sur le côté élément de commutation de la première borne et de la troisième borne par rapport à la première direction, entre la première borne et la troisième borne par rapport à la seconde direction. La partie côté pointe est située sur le côté d'extrémité distale, exposée à partir de la résine d'étanchéité, des première et troisième bornes par rapport à la première direction.
(JA) 本開示の一側面により提供される半導体装置は、スイッチング素子と、基板と、表面導電層と、第1ないし第3端子と、封止樹脂と、を含む。前記第1ないし第3端子は各々、前記基板の厚さ方向と直角である第1方向に沿って前記封止樹脂から同じ側に突出している。前記第1ないし第3端子は、前記厚さ方向および前記第1方向のいずれにも直角である第2方向に互いに離間している。前記第1端子は、前記第2方向において、前記第1ないし第3端子の中で最も外側に位置する。前記封止樹脂は、根元側部と、先端側部と、を有する。前記根元側部は、前記第2方向における前記第1端子と前記第3端子との間に、前記第1方向において前記第1端子および前記第3端子の前記スイッチング素子側に位置する。前記先端側部は、前記第1方向において前記第1および前記第3端子の前記封止樹脂から露出した先端側に位置する。
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Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)