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1. (WO2018198121) QUANTUM HALL EDGE-MODE DEVICE WITH MULTIPLE 2-DIMENSIONAL ELECTRON GASESTHAT ARE COUPLED ELECTROSTATICALLY
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Pub. No.: WO/2018/198121 International Application No.: PCT/IL2018/050461
Publication Date: 01.11.2018 International Filing Date: 26.04.2018
IPC:
H01L 43/06 (2006.01) ,H01L 43/04 (2006.01) ,G06N 99/00 (2010.01)
[IPC code unknown for H01L 43/06][IPC code unknown for H01L 43/04][IPC code unknown for G06N 99]
Applicants:
YEDA RESEARCH AND DEVELOPMENT CO. LTD. [IL/IL]; at The Weizmann Institute of Science P.O. Box 95 7610002 Rehovot, IL
Inventors:
HEIBLUM, Mordechai; IL
COHEN, Yonatan; IL
RONEN, Yuval; IL
UMANSKY, Vladimir; IL
BANITT, Daniel; IL
Agent:
VAN DER BOOM, Tamar; PEARL COHEN ZEDEK LATZER BARATZ P.O. Box 7198 6107121 Tel Aviv, IL
VAN DER BOOM, Tamar; IL
Priority Data:
62/490,04226.04.2017US
Title (EN) QUANTUM HALL EDGE-MODE DEVICE WITH MULTIPLE 2-DIMENSIONAL ELECTRON GASESTHAT ARE COUPLED ELECTROSTATICALLY
(FR) DISPOSITIF À MODE DE BORD À EFFET HALL QUANTIQUE À MULTIPLES GAZ ÉLECTRONIQUES BIDIMENSIONNELS QUI SONT COUPLÉS ÉLECTROSTATIQUEMENT
Abstract:
(EN) A device for quantum computers having two or more parallel electronic layers, each containing a 2-dimensional electron gas (2DEG) in the quantum Hall effect. The layers contain different filling factors supporting different configurations of quantum Hall effect edge states. The device has multiple adjacent regions, each covered by a top gate above the layers, which allows filling factors in each region to be configured such that in the interface between two regions two edge states are juxtaposed, which counter- propagate in the juxtaposed region. This is made possible by controlling the voltage on the electrodes to increase the filling factor of one layer and decrease that of another layer without requiring separate magnetic fields for different regions. Controlling the filling factors in each region, configures the spins of counter-propagating edge states to be either opposite or aligned. Both integer, fractional, and mixed integer-fractional quantum Hall effect edge states are supported.
(FR) L'invention concerne un dispositif pour ordinateurs quantiques ayant au minimum deux couches électroniques parallèles, contenant chacune un gaz électronique bidimensionnel (2DEG) dans l'effet Hall quantique. Les couches contiennent différents facteurs de remplissage prenant en charge différentes configurations d'états de bords à effet Hall quantique. Le dispositif comporte de multiples régions adjacentes, chacune couverte par une grille supérieure au-dessus des couches, ce qui permet à des facteurs de remplissage dans chaque région d'être configurés de telle sorte que, dans l'interface entre deux régions, deux états de bords sont juxtaposés, se contrepropageant dans la région juxtaposée. Ceci est rendu possible par la commande de la tension sur les électrodes pour augmenter le facteur de remplissage d'une couche et diminuer celle d'une autre couche sans nécessiter de champs magnétiques séparés pour différentes régions. La commande des facteurs de remplissage dans chaque région, configure les spins des états de bords se contrepropageant pour qu'ils soient opposés ou alignés. Les états de bords à effet Hall quantique entiers, fractionnels et mixte entiers-fractionnels sont pris en charge.
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Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)