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1. (WO2018196460) ANTI-REVERSE CHARGING CIRCUIT OF SMART BRACELET
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Pub. No.: WO/2018/196460 International Application No.: PCT/CN2018/074887
Publication Date: 01.11.2018 International Filing Date: 01.02.2018
IPC:
H02H 11/00 (2006.01) ,H02J 7/00 (2006.01)
H ELECTRICITY
02
GENERATION, CONVERSION, OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
H
EMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
11
Emergency protective circuit arrangements for preventing the switching-on in case an undesired electric working condition might result
H ELECTRICITY
02
GENERATION, CONVERSION, OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
J
CIRCUIT ARRANGEMENTS OR SYSTEMS FOR SUPPLYING OR DISTRIBUTING ELECTRIC POWER; SYSTEMS FOR STORING ELECTRIC ENERGY
7
Circuit arrangements for charging or depolarising batteries or for supplying loads from batteries
Applicants:
广东乐源数字技术有限公司 GUANGDONG APPSCOMM CO., LTD [CN/CN]; 中国广东省广州 黄埔区科学城开源大道11号科技企业加速器C3栋5楼杨光 YANG, Guang Floor 5, Block C3, Scientific And Technological Enterprise Accelerator No.11, Kaiyuan Road, Science City, Huangpu Zone Guangzhou, Guangdong 510530, CN
Inventors:
薛磊 XUE, Lei; CN
Priority Data:
201710284941.627.04.2017CN
Title (EN) ANTI-REVERSE CHARGING CIRCUIT OF SMART BRACELET
(FR) CIRCUIT DE CHARGE ANTI-RETOUR DE BRACELET INTELLIGENT
(ZH) 一种智能手环的防反充电路
Abstract:
(EN) An anti-reverse charging circuit of a smart bracelet, comprising a single lithium battery charging management integrated chip (U1). A negative electrode charging input line of the charging circuit is connected in series to a capacitor (C2) and is then connected in parallel to a positive electrode charging input line; the positive electrode charging input line is connected to a power supply input pin (VIN) of the charging management integrated chip. An N-type Mental Oxide Semiconductor (NMOS) transistor (Q1) is provided between an input end of the negative electrode charging input line and the capacitor. A drain of the NMOS transistor is connected to the input end of the negative electrode charging input line; a control electrode of the NMOS transistor is connected to the positive electrode charging input line by means of a resistor (R5); a source of the NMOS transistor is connected to the capacitor, and a line between the source of the NMOS transistor and the capacitor is grounded.
(FR) L'invention concerne un circuit de charge anti-retour d'un bracelet intelligent, comprenant une unique puce intégrée de gestion de charge de batterie au lithium (U1). Une ligne d'entrée de charge d'électrode négative du circuit de charge est connectée en série à un condensateur (C2) et est ensuite connectée en parallèle à une ligne d'entrée de charge d'électrode positive ; la ligne d'entrée de charge d'électrode positive est connectée à une broche d'entrée d'alimentation (VIN) de la puce intégrée de gestion de charge. Un transistor à semi-conducteur à oxyde métallique de type N (NMOS) (Q1) est disposé entre une extrémité d'entrée de la ligne d'entrée de charge d'électrode négative et le condensateur. Un drain du transistor NMOS est connecté à l'extrémité d'entrée de la ligne d'entrée de charge d'électrode négative ; une électrode de commande du transistor NMOS est connectée à la ligne d'entrée de charge d'électrode positive au moyen d'une résistance (R5) ; une source du transistor NMOS est connectée au condensateur, et une ligne située entre la source du transistor NMOS et le condensateur est mise à la terre.
(ZH) 一种智能手环的防反充充电电路,包括单节锂电池充电管理集成芯片(U1)。充电电路的负极充电输入线串接电容(C2)后与正极充电输入线并联,正极充电输入线连接到充电管理集成芯片的电源输入脚(VIN)。在负极充电输入线的输入端与电容之间设置一N型金属氧化物半导体(NMOS)管(Q1)。NMOS管的漏极连接到负极充电输入线的输入端,NMOS管的控制极通过电阻(R5)连接正极充电输入线,NMOS管的源极与电容连接,并且NMOS管的源极与电容之间的线路接地。
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Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)