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1. (WO2018196113) VAPOUR DEPOSITION DEVICE
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Pub. No.: WO/2018/196113 International Application No.: PCT/CN2017/087788
Publication Date: 01.11.2018 International Filing Date: 09.06.2017
IPC:
C23C 14/24 (2006.01) ,C23C 14/54 (2006.01)
C CHEMISTRY; METALLURGY
23
COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
C
COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
14
Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
22
characterised by the process of coating
24
Vacuum evaporation
C CHEMISTRY; METALLURGY
23
COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
C
COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
14
Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
22
characterised by the process of coating
54
Controlling or regulating the coating process
Applicants:
武汉华星光电技术有限公司 WUHAN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD [CN/CN]; 中国湖北省武汉市 东湖开发区高新大道666号生物城C5栋谭玉 TAN, Yu Building C5 Biolake of Optics Valley, No. 666 Gaoxin Avenue, East Lake High-tech Development Zone Wuhan, Hubei 430079, CN
Inventors:
沐俊应 MU, Junying; CN
Agent:
深圳翼盛智成知识产权事务所 (普通合伙)  ESSEN PATENT & TRADEMARK AGENCY; 中国广东省深圳市 福田区深南大道6021号喜年中心A座1709-1711 Hailrun Complex Block A Room 1709-1711 No. 6021 Shennan Blvd, Futian District Shenzhen, Guangdong 518040, CN
Priority Data:
201710281681.726.04.2017CN
Title (EN) VAPOUR DEPOSITION DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE DÉPÔT EN PHASE VAPEUR
(ZH) 蒸镀装置
Abstract:
(EN) Disclosed is a vapour deposition device, comprising an evaporation part (10), a transmission pipe (20) and a vapour deposition part (30), wherein the evaporation part (10) is used for heating and evaporating a vapour deposition material and forming an evaporation gas in an evaporation cavity (11) thereof; the transmission pipe (20) is used for transmitting the evaporation gas formed in the evaporation cavity (11) to a vapour deposition cavity (31) of the vapour deposition part (30); the vapour deposition part (30) is used for depositing the evaporation gas accommodated in the vapour deposition cavity (31) thereof onto a substrate; the transmission pipe (20) comprises a first pipe (21), a second pipe (22) and a third pipe (23); one end of the first pipe (21) is in communication with the evaporation cavity (11) of the evaporation part (10), and a first temperature control assembly (60) is arranged on the first pipe (21) for keeping the temperature in the first pipe (21) constant; one end of the second pipe (22) is in communication with the vapour deposition cavity (31) of the vapour deposition part (30), and a second temperature control assembly (70) is arranged on the second pipe (22) for keeping the temperature in the second pipe (22) constant; the second pipe (23) is used for communicating the other end of the first pipe (21) with the other end of the second pipe (22); and a vapour pressure control assembly (50) is arranged on the third pipe (23), and the vapour pressure control assembly (50) is used for controlling the reduction of vapour pressure of an evaporation gas in the third pipe (23) when switching from vapour deposition to idle and controlling the increase of vapour pressure of the evaporation gas in the third pipe (23) when switching from idle to vapour deposition.
(FR) L'invention concerne un dispositif de dépôt en phase vapeur, comprenant une partie d'évaporation (10), un tuyau de transmission (20) et une partie de dépôt en phase vapeur (30), la partie d'évaporation (10) étant utilisée pour chauffer et évaporer un matériau de dépôt en phase vapeur et former un gaz d'évaporation dans une cavité d'évaporation (11) de celle-ci; le tuyau de transmission (20) est utilisé pour transmettre le gaz d'évaporation formé dans la cavité d'évaporation (11) à une cavité de dépôt en phase vapeur (31) de la partie de dépôt en phase vapeur (30); la partie de dépôt en phase vapeur (30) est utilisée pour déposer le gaz d'évaporation reçu dans la cavité de dépôt en phase vapeur (31) de celle-ci sur un substrat; le tuyau de transmission (20) comprend un premier tuyau (21), un second tuyau (22) et un troisième tuyau (23); une extrémité du premier tuyau (21) est en communication avec la cavité d'évaporation (11) de la partie d'évaporation (10), et un premier ensemble de commande de température (60) est disposé sur le premier tuyau (21) pour maintenir la température dans le premier tuyau (21) constante; une extrémité du second tuyau (22) est en communication avec la cavité de dépôt en phase vapeur (31) de la partie de dépôt en phase vapeur (30), et un second ensemble de commande de température (70) est disposé sur le second tuyau (22) pour maintenir la température dans le second tuyau (22) constante; le second tuyau (23) est utilisé pour faire communiquer l'autre extrémité du premier tuyau (21) avec l'autre extrémité du second tuyau (22); et un ensemble de commande de pression de vapeur (50) est disposé sur le troisième tuyau (23), et l'ensemble de commande de pression de vapeur (50) est utilisé pour commander la réduction de la pression de vapeur d'un gaz d'évaporation dans le troisième tuyau (23) lors de la commutation de dépôt en phase vapeur à inactif et commander l'augmentation de la pression de vapeur du gaz d'évaporation dans le troisième tuyau (23) lors de la commutation d'inactif à dépôt en phase vapeur.
(ZH) 一种蒸镀装置,包括蒸发部(10)、传输管道(20)以及蒸镀部(30);蒸发部(10)用于对蒸镀材料进行加热蒸发,以在其蒸发腔(11)内形成蒸发气体;传输管道(20)用于将该蒸发腔(11)中形成的蒸发气体传输到蒸镀部(30)的蒸镀腔(31);蒸镀部(30)用于将其蒸镀腔(31)内收容的蒸发气体蒸镀到基板上;该传输管道(20)包括第一管道(21)、第二管道(22)以及第三管道(23);第一管道(21)的一端与蒸发部(10)的蒸发腔(11)连通,第一管道(21)上设置有第一温控组件(60),以用于保持第一管道(21)内的温度恒定;第二管道(22)的一端与蒸镀部(30)的蒸镀腔(31)连通,第二管道(22)上设置有第二温控组件(70),用于保持第二管道(22)内的温度恒定;第三管道(23)用于将第一管道(21)的另一端以及第二管道(22)的另一端连通;第三管道(23)上设置有蒸汽压控制组件(50),该蒸汽压控制组件(50)用于在由蒸镀切换为闲置时控制第三管道(23)内蒸发气体的蒸汽压降低,由闲置切换为蒸镀时控制第三管道(23)内蒸发气体的蒸汽压升高。
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Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
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Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)