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1. (WO2018195701) SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD FOR USE IN FABRICATING SEMICONDUCTOR STRUCTURE
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Pub. No.: WO/2018/195701 International Application No.: PCT/CN2017/081656
Publication Date: 01.11.2018 International Filing Date: 24.04.2017
IPC:
H01L 29/15 (2006.01)
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29
Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; Capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof
02
Semiconductor bodies
12
characterised by the materials of which they are formed
15
Structures with periodic or quasi periodic potential variation, e.g. multiple quantum wells, superlattices
Applicants:
苏州晶湛半导体有限公司 ENKRIS SEMICONDUCTOR, INC. [CN/CN]; 中国江苏省苏州市 苏州工业园区金鸡湖大道99号西北区20幢517-A室 Room 517-A, Building NW-20 No. 99, Jinji Lake Avenue, Suzhou Industrial Park Suzhou, Jiangsu 215123, CN
Inventors:
程凯 CHENG, Kai; CN
向鹏 XIANG, Peng; CN
Agent:
北京布瑞知识产权代理有限公司 BRIGHTHEAD INTELLECTUAL PROPERTY AGENCY CO., LTD.; 中国北京市 朝阳区广顺北大街5号院内32号B228 B228, No. 32, Inside The No. 5 Yard Guangshun North Street, Chaoyang District Beijing 100102, CN
Priority Data:
Title (EN) SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD FOR USE IN FABRICATING SEMICONDUCTOR STRUCTURE
(FR) STRUCTURE SEMI-CONDUCTRICE ET PROCÉDÉ DESTINÉ À ÊTRE UTILISÉ DANS LA FABRICATION D'UNE STRUCTURE SEMI-CONDUCTRICE
(ZH) 一种半导体结构和制备半导体结构的方法
Abstract:
(EN) A semiconductor structure and a method for use in fabricating a semiconductor structure, which solve the problem in the existing technology wherein an epitaxial structure of a semiconductor compound which is epitaxially grown on a substrate easily cracks and is greatly warped. The semiconductor structure comprises: a substrate (1), and at least one periodic structure (3), which is disposed at an upper side of the substrate (1); each periodic structure (3) comprises at least one period, and each period comprises a first periodic layer (31) and a second periodic layer (32) which are sequentially stacked in the epitaxial direction; the thickness of an nth periodic structure (3) is smaller than the thickness of an n+1th periodic structure (3), n being an integer greater than or equal to 1.
(FR) L'invention concerne une structure semi-conductrice et un procédé destiné à être utilisé dans la fabrication d'une structure semi-conductrice, qui résolvent le problème de la technologie existante selon lequel une structure épitaxiale d'un composé semi-conducteur qui est soumise à une croissance épitaxiale sur un substrat se fissure facilement et est fortement déformée. La structure semi-conductrice comprend : un substrat (1), et au moins une structure périodique (3), qui est disposée sur un côté supérieur du substrat (1) ; chaque structure périodique (3) comprend au moins une période, et chaque période comprend une première couche périodique (31) et une seconde couche périodique (32) qui sont empilées séquentiellement dans la direction épitaxiale ; l'épaisseur d'une nième structure périodique (3) est inférieure à l'épaisseur d'une n + 1ième structure périodique (3), n étant un nombre entier supérieur ou égal à 1.
(ZH) 一种半导体结构和制备半导体结构的方法,解决了现有技术中在衬底上外延生长半导体化合物外延结构所存在的易龟裂、翘曲大的问题。该半导体结构包括:衬底(1);设置在所述衬底(1)上方的至少一个周期结构(3);其中,每个所述周期结构(3)包括至少一个周期,每个所述周期包括沿外延方向依次叠加的第一周期层(31)和第二周期层(32);其中,所述第n个周期结构(3)的厚度小于所述第n+1个周期结构(3)的厚度,n为大于等于1的整数。
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Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)