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1. (WO2018184851) METHOD AND MANUFACTURING SYSTEM FOR PRODUCING MICROELECTRONIC COMPONENTS WITH A LAYER STRUCTURE
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Pub. No.: WO/2018/184851 International Application No.: PCT/EP2018/057192
Publication Date: 11.10.2018 International Filing Date: 21.03.2018
IPC:
H01L 21/78 (2006.01)
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21
Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in or on a common substrate or of specific parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of specific parts thereof
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Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
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with subsequent division of the substrate into plural individual devices
Applicants:
3D-MICROMAC AG [DE/DE]; Technologie-Campus 8 09126 Chemnitz, DE
Inventors:
SCHMIDT, Thomas; DE
LINDNER, Mike; DE
BÖHM, Alexander; DE
BOETTCHER, René; DE
ALBERT, Sven; DE
Agent:
PATENTANWÄLTE RUFF, WILHELM, BEIER, DAUSTER & PARTNER MBB; Kronenstraße 30 70174 Stuttgart, DE
Priority Data:
10 2017 205 635.503.04.2017DE
Title (EN) METHOD AND MANUFACTURING SYSTEM FOR PRODUCING MICROELECTRONIC COMPONENTS WITH A LAYER STRUCTURE
(FR) PROCÉDÉ ET SYSTÈME DE PRODUCTION SERVANT À FABRIQUER DES COMPOSANTS MICROÉLECTRONIQUES À STRUCTURE STRATIFIÉE
(DE) VERFAHREN UND FERTIGUNGSSYSTEM ZUR HERSTELLUNG MIKROELEKTRONISCHER KOMPONENTEN MIT SCHICHTAUFBAU
Abstract:
(EN) In a method for producing microelectronic components, which have a carrier and a microelectronic functional layer system applied to the carrier, a functional layer system is initially formed on a front side of a growth substrate and a layer-shaped carrier is subsequently applied onto the functional layer system in order to form a workpiece in the form of a layer composite, which has the carrier, the functional layer system and the growth substrate. A workpiece is fastened to a workpiece carrier in such a way that the rear side, lying opposite the front side, of the growth substrate is accessible. Then, a laser beam is radiated through the growth substrate from the rear side of the growth substrate in such a way that the laser beam is focused in a boundary region between the growth substrate and the functional layer system and a connection between the growth substrate and the functional layer system is weakened or destroyed in the boundary region. Finally, a functional layer stack comprising the carrier and the functional layer system is separated from the growth substrate. For the purposes of separating the functional layer stack (150) from the growth substrate (110), a vacuum gripper (710) with a sealing zone (730) surrounding an inner region (720) is placed onto the rear side (114) of the growth substrate. After placement, negative pressure is produced in the inner region (720) in such a way that a separation of the functional layer stack (150) from the growth substrate (110) is initiated in the inner region under the action of a separating force on the growth substrate. Then, the growth substrate (110) held at the vacuum gripper is removed from the functional layer stack held at the workpiece carrier (400).
(FR) L'invention concerne un procédé servant à fabriquer des composants microélectroniques qui comportent un support et un système de couches fonctionnelles microélectronique appliqué sur le support. Dans ledit procédé, un système de couches fonctionnelles est formé en premier lieu sur une face avant du substrat de croissance, puis un support en forme de couche est immédiatement après appliqué sur le système de couches fonctionnelles afin de former une pièce sous la forme d'un composite stratifié qui comporte le support, le système de couches fonctionnelles et le substrat de croissance. La pièce est fixée sur un support de pièce de telle manière que la face arrière opposée à la face avant du substrat de croissance est accessible. Puis un faisceau laser est irradié depuis la face arrière du substrat de croissance à travers le substrat de croissance de part en part de telle manière que le faisceau laser est concentré dans une zone limite entre le substrat de croissance et le système de couches fonctionnelles et qu'une liaison entre le substrat de croissance et le système de couches fonctionnelles dans la zone limite est affaiblie ou détruite. Pour finir, un empilement de couches fonctionnelles comportant le support et le système de couches fonctionnelles est séparé du substrat de croissance. Pour séparer l'empilement (150) de couches fonctionnelles du substrat de croissance (110), un système de préhension à vide (710) comprenant une zone étanche (730) située tout autour d'une zone intérieure (720) est placé sur la face arrière (114) du substrat de croissance. Une fois le système de préhension à vide placé, une dépression est générée dans la zone intérieure (720) de telle manière qu'une séparation de l'empilement de couches fonctionnelles (150) du substrat de croissance (110) est initiée sous l'action d'une force de séparation agissant sur le substrat de croissance dans la zone intérieure. Puis, le substrat de croissance (110) maintenu par le système de préhension à vide est retiré de l'empilement de couches fonctionnelles maintenu sur le support de pièce (400).
(DE) Bei einem Verfahren zur Herstellung mikroelektronischer Komponenten, die einen Träger und ein auf dem Träger aufgebrachtes mikroelektronisches Funktionsschichtsystem aufweisen, wird auf einer Vorderseite eines Aufwachssubstrats zunächst ein Funktionsschichtsystem gebildet und anschließend ein schichtförmige Trägers auf das Funktionsschichtsystem aufgebracht, um ein Werkstück in Form eines Schichtverbundes zu bilden, der den Träger, das Funktionsschichtsystem und das Aufwachssubstrat aufweist. Ein Befestigendes Werkstücks auf einem Werkstückträger erfolgt derart, dass die der Vorderseite gegenüberliegende Rückseite des Aufwachssubstrats zugänglich ist. Dann erfolgt ein Einstrahlen eines Laserstrahls von der Rückseite des Aufwachssubstrats durch das Aufwachssubstrat hindurch derart, dass der Laserstrahl in einem Grenzbereich zwischen dem Aufwachssubstrat und dem Funktionsschichtsystem fokussiert wird und eine Verbindung zwischen dem Aufwachssubstrat und dem Funktionsschichtsysteme im Grenzbereich geschwächt oder zerstört wird. Schließlich erfolgt ein Trennen eines den Träger und das Funktionsschichtsystem aufweisenden Funktions- Schichtstapels von dem Aufwachssubstrat. Zum Trennen des Funktions-Schichtstapels (150) vom Aufwachssubstrat (110) wird ein Vakuumgreifer (710) mit einer um einen Innenbereich (720) umlaufenden Dichtzone (730) auf die Rückseite (114) des Aufwachssubstrats aufgesetzt. Nach dem Aufsetzen wird in dem Innenbereich (720) ein Unterdruck erzeugt derart, dass eine Trennung des Funktions-Schichtstapels (150) vom Aufwachssubstrat (110) unter Einwirkung einer Trennkraft auf das Aufwachssubstrat in dem Innenbereich initiiert wird. Dann wird das an dem Vakuumgreifer gehaltene Aufwachssubstrat (110) von dem an dem Werkstückträger (400) gehaltenen Funktions-Schichtstapel entfernt.
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Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)