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1. (WO2018182680) THERMALLY RESISTIVE INTERCALATION LAYERS IN A RESISTIVE SWITCH DEVICE
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Pub. No.: WO/2018/182680 International Application No.: PCT/US2017/025341
Publication Date: 04.10.2018 International Filing Date: 31.03.2017
IPC:
H01L 45/00 (2006.01)
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
45
Solid state devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating, or switching without a potential-jump barrier or surface barrier, e.g. dielectric triodes; Ovshinsky-effect devices; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof
Applicants:
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054, US
Inventors:
SHARMA, Abhishek A.; US
Agent:
GRIFFIN, III, Malvern U.; US
CHAN, Christopher J.; US
HANNON, James M.; US
BAKHSH, Umar R.; US
ZOGAIB, Nash M.; US
NARVAEZ, Gustavo A.; US
BRANSON, Joshua W.; US
Priority Data:
Title (EN) THERMALLY RESISTIVE INTERCALATION LAYERS IN A RESISTIVE SWITCH DEVICE
(FR) COUCHES D'INTERCALATION THERMIQUEMENT RÉSISTIVES DANS UN DISPOSITIF DE COMMUTATION RÉSISTIF
Abstract:
(EN) Resistive switch devices including a thermal layer and processes for forming the devices are provided. The thermal layer can be thermally resistive layer and electrically conductive. As such, the thermal layer can be intercalated between an electrode layer and an oxide layer of a resistive switch device. The oxide layer can constitute a switching medium of the resistive switch device that can be caused to transition between a low-resistance state and a high-resistance state via the application of a defined voltage across the resistive switch device. In the low-resistance state a current can be transported across the resistive switch device, which current can cause to the thermal layer to confine heat. The confined heat can increase the temperature of the resistive switch device, thus lowering a voltage to be applied in order to cause the resistive switch device to the high-resistance state.
(FR) L'invention concerne des dispositifs de commutation résistifs comprenant une couche thermique et des procédés de formation desdits dispositifs. La couche thermique peut être une couche thermiquement résistive et électroconductrice. Ainsi, la couche thermique peut être intercalée entre une couche d'électrode et une couche d'oxyde d'un dispositif de commutation résistif. La couche d'oxyde peut constituer un milieu de commutation du dispositif de commutation résistif qui peut être amené à passer d'un état de faible résistance à un état de haute résistance par l'application d'une tension définie à travers le dispositif de commutation résistif. Dans l'état de faible résistance, un courant peut être transporté à travers le dispositif de commutation résistif, lequel courant peut amener la couche thermique à confiner la chaleur. La chaleur confinée peut augmenter la température du dispositif de commutation résistif, abaissant ainsi une tension à appliquer afin d'amener le dispositif de commutation résistif à l'état de haute résistance.
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Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)