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1. (WO2018181709) HIGH FREQUENCY MODULE
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Pub. No.: WO/2018/181709 International Application No.: PCT/JP2018/013235
Publication Date: 04.10.2018 International Filing Date: 29.03.2018
IPC:
H05K 9/00 (2006.01) ,H01L 23/00 (2006.01) ,H01L 23/28 (2006.01) ,H05K 3/28 (2006.01)
H ELECTRICITY
05
ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
K
PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
9
Screening of apparatus or components against electric or magnetic fields
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23
Details of semiconductor or other solid state devices
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23
Details of semiconductor or other solid state devices
28
Encapsulation, e.g. encapsulating layers, coatings
H ELECTRICITY
05
ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
K
PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
3
Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
22
Secondary treatment of printed circuits
28
Applying non-metallic protective coatings
Applicants:
株式会社村田製作所 MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP/JP]; 京都府長岡京市東神足1丁目10番1号 10-1, Higashikotari 1-chome, Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555, JP
Inventors:
大坪 喜人 OTSUBO, Yoshihito; JP
Agent:
梁瀬 右司 YANASE, Yuji; JP
丸山 陽介 MARUYAMA, Yosuke; JP
Priority Data:
2017-07231831.03.2017JP
Title (EN) HIGH FREQUENCY MODULE
(FR) MODULE HAUTE FRÉQUENCE
(JA) 高周波モジュール
Abstract:
(EN) The purpose of the present invention is to enable high-density mounting of components in a configuration provided with a component-to-component shield, and to maintain a component-to-component shield characteristic. A high frequency module 1a is provided with: a multilayer wiring board 2; a plurality of components 3a to 3d mounted on an upper surface 20a of the multilayer wiring board 2; a sealing resin layer 4 which is stacked on the upper surface 20a of the multilayer wiring board 2 and which seals the plurality of components 3a to 3d; and a shield wall 5a which is disposed in a groove 13 formed between a component 3a and a component 3b of the sealing resin layer 4. The shield wall 5a, as viewed from a direction perpendicular to the upper surface 20a of the multilayer wiring board 2, includes a region overlapping the component 3c. The groove 13 in the overlapping region is formed with a depth that does not reach the component 3c. The component 3c has side surfaces 3c3, 3c5 which are entirely covered with a terminal electrode 12, and an upper surface 3c1, a lower surface 3c2, and side surfaces 3c4, 3c6 which are partly covered therewith.
(FR) Le but de la présente invention est de permettre un montage à haute densité de composants dans une configuration pourvue d'un blindage de composant à composant, et de maintenir une caractéristique de protection de composant à composant. Un module haute fréquence 1a est pourvu : d'une carte de câblage multicouche 2 ; d'une pluralité de composants 3a à 3d montés sur une surface supérieure 20a de la carte de câblage multicouche 2 ; d'une couche de résine d'étanchéité 4 qui est empilée sur la surface supérieure 20a de la carte de câblage multicouche 2 et qui scelle la pluralité de composants 3a à 3d ; et d'une paroi de blindage 5a qui est disposée dans une rainure 13 formée entre un composant 3a et un composant 3b de la couche de résine d'étanchéité 4. La paroi de blindage 5a, vue depuis une direction perpendiculaire à la surface supérieure 20a de la carte de câblage multicouche 2, comprend une région chevauchant le composant 3c. La rainure 13 dans la région de chevauchement est formée avec une profondeur qui n'atteint pas le composant 3c. Le composant 3c présente des surfaces latérales 3c3, 3c5 qui sont entièrement recouvertes d'une électrode de borne 12, et une surface supérieure 3c1, une surface inférieure 3c2, et des surfaces latérales 3c4, 3c6 qui sont partiellement recouvertes de celle-ci.
(JA) 部品間シールドを設ける構成において、部品の高密度実装を可能とするとともに、部品間シールドの特性を維持する。 高周波モジュール1aは、多層配線基板2と、該多層配線基板2の上面20aに実装された複数の部品3a~3dと、多層配線基板2の上面20aに積層され、複数の部品3a~3dを封止する封止樹脂層4と、封止樹脂層4の部品3aと部品3bとの間に形成された溝13に配設されたシールド壁5aとを備え、シールド壁5aは、多層配線基板2の上面20aに対して垂直な方向から見たときに、部品3cと重なる領域があり、該重なる領域の溝13は、部品3cに到達しない深さで形成され、部品3cは、側面3c3,3c5の全面と、上面3c1、下面3c2および側面3c4,3c6の一部を被覆する端子電極12が形成されている。
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Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
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Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)