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1. (WO2018180524) NITRIDE SEMICONDUCTOR LASER ELEMENT AND NITRIDE SEMICONDUCTOR LASER DEVICE
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Pub. No.: WO/2018/180524 International Application No.: PCT/JP2018/010129
Publication Date: 04.10.2018 International Filing Date: 15.03.2018
IPC:
H01S 5/042 (2006.01) ,H01S 5/022 (2006.01) ,H01S 5/22 (2006.01) ,H01S 5/343 (2006.01)
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
S
DEVICES USING STIMULATED EMISSION
5
Semiconductor lasers
04
Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
042
Electrical excitation
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
S
DEVICES USING STIMULATED EMISSION
5
Semiconductor lasers
02
Structural details or components not essential to laser action
022
Mountings; Housings
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
S
DEVICES USING STIMULATED EMISSION
5
Semiconductor lasers
20
Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave
22
having a ridge or a stripe structure
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
S
DEVICES USING STIMULATED EMISSION
5
Semiconductor lasers
30
Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
34
comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well lasers (SQW-lasers), multiple quantum well lasers (MQW-lasers), graded index separate confinement heterostructure lasers (GRINSCH-lasers)
343
in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser
Applicants: PANASONIC CORPORATION[JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501, JP
Inventors: HAGINO Hiroyuki; --
IMAFUJI Osamu; --
NOZAKI Shinichiro; --
Agent: TOKUDA Yoshiaki; JP
NISHIDA Hiroki; JP
Priority Data:
2017-06401828.03.2017JP
Title (EN) NITRIDE SEMICONDUCTOR LASER ELEMENT AND NITRIDE SEMICONDUCTOR LASER DEVICE
(FR) ÉLÉMENT LASER À SEMI-CONDUCTEUR AU NITRURE ET DISPOSITIF LASER À SEMI-CONDUCTEUR AU NITRURE
(JA) 窒化物半導体レーザ素子および窒化物半導体レーザ装置
Abstract:
(EN) A nitride semiconductor laser element (1) is provided with: a first nitride semiconductor layer (20); a light-emitting layer (30) comprising a nitride semiconductor formed on the first nitride semiconductor layer (20); a second nitride semiconductor layer (40) which is formed on the light-emitting layer (30) and which includes a ridge part (40a); a p-side electrode (51) formed on the ridge part (40a); and a pad electrode (52) which is formed on the second nitride semiconductor layer (40) and which is wider than the ridge part (40a), wherein the second nitride semiconductor layer (40) includes a flat part (40b) lateral to the ridge part (40a), a dielectric layer (60) made of SiO2 is formed on the flat part (40b) and on a lateral surface of the ridge part (40a), an adhesion layer (70) is formed on the dielectric layer (60) located on the flat part (40b), and the adhesion layer (70) is separated from the dielectric layer (60) on the lateral surface of the ridge part (40a), is not in contact with the p-side electrode (51), and is in contact with the pad electrode (52).
(FR) La présente invention concerne un élément laser à semi-conducteur au nitrure (1), pourvu : d'une première couche semi-conductrice au nitrure (20) ; d'une couche électroluminescente (30) comprenant un semi-conducteur au nitrure formé sur la première couche semi-conductrice au nitrure (20) ; une seconde couche semi-conductrice au nitrure (40) formée sur la couche électroluminescente (30) et qui comprend une partie arête (40a) ; une électrode côté p (51) formée sur la partie arête (40a) ; et une pointe d'électrode à extrémité plate (52) formée sur la seconde couche semi-conductrice au nitrure (40) et qui est plus large que la partie arête (40a), la seconde couche semi-conductrice au nitrure (40) comprenant une partie plate (40b) latérale à la partie arête (40a), une couche diélectrique (60) constituée de SiO2 étant formée sur la partie plate (40b) et sur une surface latérale de la partie arête (40a), une couche d'adhérence (70) étant formée sur la couche diélectrique (60) située sur la partie plate (40b), et la couche d'adhérence (70) étant séparée de la couche diélectrique (60) sur la surface latérale de la partie arête (40a), n'étant pas en contact avec l'électrode côté p (51), et étant en contact avec la pointe d'électrode à extrémité plate (52).
(JA) 窒化物半導体レーザ素子(1)は、第1の窒化物半導体層(20)と、第1の窒化物半導体層(20)の上に形成された窒化物半導体からなる発光層(30)と、発光層(30)の上に形成され、リッジ部(40a)を有する第2の窒化物半導体層(40)と、リッジ部(40a)の上に形成されたp側電極(51)と、第2の窒化物半導体層(40)上に形成され、リッジ部(40a)よりも幅広であるパッド電極(52)とを備え、第2の窒化物半導体層(40)は、リッジ部(40a)の側方に平坦部(40b)を有し、リッジ部(40a)の側面および平坦部(40b)の上には、SiOからなる誘電体層(60)が形成され、平坦部(40b)上の誘電体層(60)の上には、密着層(70)が形成され、密着層(70)は、リッジ部(40a)の側面上の誘電体層(60)から離れ、且つ、p側電極(51)とは非接触であり、パッド電極(52)と接触している。
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Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
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Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)