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1. (WO2018177807) OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT AND PRODUCTION METHOD
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Pub. No.: WO/2018/177807 International Application No.: PCT/EP2018/057001
Publication Date: 04.10.2018 International Filing Date: 20.03.2018
IPC:
H01L 33/54 (2010.01) ,H01L 33/60 (2010.01)
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33
Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
48
characterised by the semiconductor body packages
52
Encapsulations
54
having a particular shape
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33
Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
48
characterised by the semiconductor body packages
58
Optical field-shaping elements
60
Reflective elements
Applicants: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH[DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg, DE
Inventors: PERZLMAIER, Korbinian; DE
RAFAEL, Christine; DE
TÅNGRING, Ivar; DE
Agent: EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München, DE
Priority Data:
10 2017 106 508.327.03.2017DE
Title (EN) OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT AND PRODUCTION METHOD
(FR) COMPOSANT SEMICONDUCTEUR OPTOÉLECTRONIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION
(DE) OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL UND HERSTELLUNGSVERFAHREN
Abstract:
(EN) The invention relates to a semiconductor component (1) containing a light-emitting diode chip (2) for producing radiation and a filling (3), which is transparent to the radiation. Furthermore, the semiconductor component (1) has a reflector (4) for the radiation. The light-emitting diode chip (2) comprises a semiconductor layer sequence (21) for producing the radiation, electrical contact points (23, 24) on a mounting side (26), a carrier body (22), and an anti-wetting layer (5). The anti-wetting layer (5) has a repellent effect for a material of the reflector (4) and of the filling (3). The anti-wetting layer (5) lies exposed laterally to the light-emitting diode chip (2) and is located between the semiconductor layer sequence (21) and the carrier body (22) and/or next to the semiconductor layer sequence (21) in the lateral direction (L). The filling (3) and the reflector (4) butt against the exposed anti-wetting layer (5). The filling (3) widens in a direction away from the mounting side (26) such that the radiation is reflected in a direction away from the carrier body (22) at an interface (34) between the filling (3) and the reflector (4).
(FR) Une forme de réalisation de l'invention concerne un composant semiconducteur (1) qui contient une puce de diode électroluminescente (2) destinée à générer un rayonnement et une charge de remplissage (3) qui est transparente pour le rayonnement. Le composant semiconducteur (1) possède en outre un réflecteur (4) pour le rayonnement. La puce de diode électroluminescente (2) comporte une séquence de couches en semiconducteur (21) destinées à générer le rayonnement, des points de contact électriques (23, 24) sur un côté de montage (26), un corps porteur (22) ainsi qu'une couche anti-imprégnation (5). La couche anti-imprégnation (5) a un effet répulsif pour un matériau du réflecteur (4) et la charge de remplissage (3). La couche anti-imprégnation (5) est dégagée latéralement au niveau de la puce de diode électroluminescente (2) et se trouve entre la séquence de couches en semiconducteur (21) et le corps porteur (22) et/ou à côté de la séquence de couches en semiconducteur (21) dans la direction latérale (L). La charge de remplissage (3) et le réflecteur (4) viennent en butée l'un contre l'autre au niveau de la couche anti-imprégnation (5). La charge de remplissage (3) s'élargit dans la direction à l'opposé du côté de montage (26), de sorte qu'une réflexion du rayonnement se produit au niveau d'une surface de délimitation (34) entre la charge de remplissage (3) et le réflecteur (4), dans une direction à l'opposé du corps porteur (22).
(DE) In einer Ausführungsform beinhaltet das Halbleiterbauteil (1) einen Leuchtdiodenchip (2) zur Erzeugung von Strahlung und eine Füllung (3), die für die Strahlung durchlässig ist. Ferner weist das Halbleiterbauteil (1) einen Reflektor (4) für die Strahlung auf. Der Leuchtdiodenchip (2) umfasst eine Halbleiterschichtenfolge (21) zur Erzeugung der Strahlung, elektrische Kontaktstellen (23, 24) an einer Montageseite (26), einen Trägerkörper (22) sowie eine Antibenetzungsschicht (5). Die Antibenetzungsschicht (5) wirkt für ein Material des Reflektors (4) und der Füllung (3) abweisend. Die Antibenetzungsschicht (5) liegt seitlich an dem Leuchtdiodenchip (2) frei und befindet sich zwischen der Halbleiterschichtenfolge (21) und dem Trägerkörper (22) und/oder in lateraler Richtung (L) neben der Halbleiterschichtenfolge (21). Die Füllung (3) und der Reflektor (4) stoßen an der freiliegenden Antibenetzungsschicht (5) aneinander. Die Füllung (3) verbreitert sich in Richtung weg von der Montageseite (26), so dass an einer Grenzfläche (34) zwischen der Füllung (3) und dem Reflektor (4) eine Reflexion der Strahlung in Richtung weg von dem Trägerkörper (22) erfolgt.
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Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)