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1. (WO2018165222) HIGH ENERGY X-RAY GENERATION WITHOUT THE USE OF A HIGH VOLTAGE POWER SUPPLY
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Pub. No.: WO/2018/165222 International Application No.: PCT/US2018/021236
Publication Date: 13.09.2018 International Filing Date: 06.03.2018
IPC:
H01J 35/04 (2006.01)
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
J
ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
35
X-ray tubes
02
Details
04
Electrodes
Applicants:
BECSIS, LLC [US/US]; 2197 Brookwood Drive South Elgin, Illinois 60177, US
Inventors:
BORUTA, Nicholas; US
BORUTA, Michael; US
Agent:
LOMPREY, Jeffrey R.; US
FLORES, Jessica A.; US
MCPARLAND, James P.; US
MEARA, Joseph P.; US
LAGERWALL, Nicholas M.; US
Priority Data:
62/467,56506.03.2017US
Title (EN) HIGH ENERGY X-RAY GENERATION WITHOUT THE USE OF A HIGH VOLTAGE POWER SUPPLY
(FR) GÉNÉRATION DE RAYONS X À HAUTE ÉNERGIE SANS UTILISATION D'UNE ALIMENTATION ÉLECTRIQUE À HAUTE TENSION
Abstract:
(EN) A method of generating X-rays includes providing a field-emission diode including two electrodes separated by a gap, a first conductor, a first insulator on a surface of the first conductor, a second insulator on a surface of the first insulator that is not in contact with the first conductor, and a second conductor. The first insulator and the second insulator have trapped electrons at an interface therebetween, and are provided between the first conductor and the second conductor. The method further includes moving the second conductor with respect to the first conductor to induce electrons on the second conductor via electrostatic induction; accelerating the induced electrons across the gap of the field-emission diode; and striking a target with accelerated electrons to produce an X-ray. The first insulator and the second insulator are not the same.
(FR) L'invention concerne un procédé de génération de rayons X comprenant la fourniture d'une diode à émission de champ qui contient deux électrodes séparées par un espace, un premier conducteur, un premier isolant sur une surface du premier conducteur, un deuxième isolant sur une surface du premier isolant qui n'est pas en contact avec le premier conducteur, et un deuxième conducteur. Le premier isolant et le deuxième isolant ont des électrons piégés au niveau d'une interface entre eux, et sont disposés entre le premier conducteur et le deuxième conducteur. Le procédé comprend en outre le déplacement du deuxième conducteur par rapport au premier conducteur afin d'induire des électrons sur le deuxième conducteur par induction électrostatique; l'accélération des électrons induits à travers l'espace de la diode à émission de champ; et la frappe d'une cible avec des électrons accélérés pour produire un rayon X. Le premier isolant et le deuxième isolant ne sont pas identiques.
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Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)