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1. (WO2018163650) ETCHANT COMPOSITION AND ETCHING METHOD
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Pub. No.: WO/2018/163650 International Application No.: PCT/JP2018/002522
Publication Date: 13.09.2018 International Filing Date: 26.01.2018
IPC:
H01L 21/308 (2006.01)
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21
Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02
Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04
the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer, carrier concentration layer
18
the devices having semiconductor bodies comprising elements of the fourth group of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30
Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20-H01L21/26142
302
to change the physical characteristics of their surfaces, or to change their shape, e.g. etching, polishing, cutting
306
Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
308
using masks
Applicants:
株式会社ADEKA ADEKA CORPORATION [JP/JP]; 東京都荒川区東尾久7丁目2番35号 2-35, Higashiogu 7-chome, Arakawa-ku, Tokyo 1168554, JP
Inventors:
大宮 大輔 OMIYA Daisuke; JP
Agent:
近藤 利英子 KONDO Rieko; JP
菅野 重慶 SUGANO Shigeyoshi; JP
岡田 薫 OKADA Kaoru; JP
竹山 圭太 TAKEYAMA Keita; JP
Priority Data:
2017-04646910.03.2017JP
Title (EN) ETCHANT COMPOSITION AND ETCHING METHOD
(FR) COMPOSITION D'AGENT D'ATTAQUE CHIMIQUE ET PROCÉDÉ DE GRAVURE
(JA) エッチング液組成物及びエッチング方法
Abstract:
(EN) Provided is an etchant composition useful for etching indium oxide-based layers, said etchant composition being free from hydrogen chloride but yet causing little width thinning by etching, showing good linearity and being capable of forming a thin wire with a desired width. The etchant composition, which is to be used for etching indium oxide-based layers, comprises: (A) 0.01-15 mass% of hydrogen peroxide; (B) 1-40 mass% of sulfuric acid; (C) 0.01-10 mass% of an amide compound represented by general formula (1) [wherein R1, R2 and R3 represent hydrogen, an alkyl group having 1-8 carbon atoms, etc.]; (D) 0.00001-0.1 mass% of a halide ion source (excluding a fluoride ion source); (E) 0.001-1 mass% of a fluoride ion source; and water.
(FR) L'invention concerne une composition d'agent d'attaque chimique servant à graver des couches à base d'oxyde d'indium, ladite composition d'agent d'attaque chimique est exempte de chlorure d'hydrogène mais provoque cependant un faible amincissement de la largeur au moyen de la gravure. La composition d'agent d'attaque chimique présente une bonne linéarité et peut former un fil mince comportant une largeur souhaitée. La composition d'agent d'attaque chimique, qui doit être utilisée pour graver des couches à base d'oxyde d'indium, comprend : (A) 0,01 à 15 % en masse de peroxyde d'hydrogène ; (B) 1 à 40 % en masse d'acide sulfurique ; (C) 0,01 à 10 % en masse d'un composé amide représenté par la formule générale (1) [R1, R2 et R3 représentent l'hydrogène, un groupe alkyle ayant de 1 à 8 atomes de carbone, etc.] ; (D) 0,00001 à 0,1 % en masse d'une source d'ions halogénures (hors source d'ions fluorures) ; (E) 0,001 à 1 % en masse d'une source d'ions fluorures ; et de l'eau.
(JA) 塩化水素を含有しなくとも、エッチングによる細り幅が少なく、直線性が良好であるとともに所望の幅を有する細線を形成することが可能な、酸化インジウム系層のエッチングに有用なエッチング液組成物を提供する。酸化インジウム系層をエッチングするためのエッチング液組成物である。(A)過酸化水素0.01~15質量%;(B)硫酸1~40質量%;(C)下記一般式(1)(R1、R2、及びR3:水素、炭素原子数1~8のアルキル基等)で表されるアミド化合物0.01~10質量%;(D)ハロゲン化物イオン供給源(但し、フッ化物イオン供給源を除く)0.00001~0.1質量%;(E)フッ化物イオン供給源0.001~1質量%;及び水を含有する。
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Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)