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1. (WO2018163559) DRIVING DEVICE OF SEMICONDUCTOR SWITCH
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Pub. No.: WO/2018/163559 International Application No.: PCT/JP2017/045322
Publication Date: 13.09.2018 International Filing Date: 18.12.2017
IPC:
H02M 1/08 (2006.01) ,H02M 7/48 (2007.01) ,H03K 17/16 (2006.01) ,H03K 17/567 (2006.01)
H ELECTRICITY
02
GENERATION, CONVERSION, OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
M
APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
1
Details of apparatus for conversion
08
Circuits specially adapted for the generation of control voltages for semiconductor devices incorporated in static converters
H ELECTRICITY
02
GENERATION, CONVERSION, OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
M
APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
7
Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
42
Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal
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by static converters
48
using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
H ELECTRICITY
03
BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
K
PULSE TECHNIQUE
17
Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and -breaking
16
Modifications for eliminating interference voltages or currents
H ELECTRICITY
03
BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
K
PULSE TECHNIQUE
17
Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and -breaking
51
characterised by the use of specified components
56
by the use, as active elements, of semiconductor devices
567
Circuits characterised by the use of more than one type of semiconductor device, e.g. BIMOS, composite devices such as IGBT
Applicants:
株式会社デンソー DENSO CORPORATION [JP/JP]; 愛知県刈谷市昭和町1丁目1番地 1-1, Showa-cho, Kariya-city, Aichi 4488661, JP
Inventors:
山内 一輝 YAMAUCHI, Kazuki; JP
千田 康隆 SENDA, Yasutaka; JP
Agent:
特許業務法人 サトー国際特許事務所 SATO INTERNATIONAL PATENT FIRM; JP
Priority Data:
2017-04380108.03.2017JP
Title (EN) DRIVING DEVICE OF SEMICONDUCTOR SWITCH
(FR) DISPOSITIF D'EXCITATION DE COMMUTATEUR SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体スイッチの駆動装置
Abstract:
(EN) According to the present invention, a charging terminal and a discharging terminal are connected to a conduction control terminal of a semiconductor switch. The present invention is provided with: a charging path that has a charging terminal and a charging switch allowing charging current to flow in a conduction control terminal of each of a plurality of semiconductor switches when switched to an ON-state; and a discharging path that has a discharging terminal and a discharging switch allowing discharging current to flow between each conduction control terminal and a low potential-side conduction terminal when switched to an OFF-state. A charging-side conduction element is disposed on a charging-side loop path forming a portion of the charging path, and causes the charging current to flow in a conduction state. A discharging-side conduction element is disposed on a discharging-side loop path forming a portion of the discharging path, and causes the discharging current to flow in a conduction state. A voltage detection unit is connected to a current output terminal of the charging-side conduction element and/or the discharging-side conduction element, and a resistor element is connected in parallel with the charging-side conduction element and/or the discharging-side conduction element. At least the charging switch, the discharging switch, and the voltage detection unit are configured as a drive IC.
(FR) Selon la présente invention, une borne de charge et une borne de décharge sont connectées à une borne de commande de conduction d'un commutateur semi-conducteur. La présente invention comprend : un trajet de charge qui a une borne de charge et un commutateur de charge permettant à un courant de charge de circuler dans une borne de commande de conduction de chaque commutateur d'une pluralité de commutateurs semi-conducteurs lorsqu'il est commuté vers un état ACTIVÉ ; et un trajet de décharge qui a une borne de décharge et un commutateur de décharge permettant à un courant de décharge de circuler entre chaque borne de commande de conduction et une borne de conduction côté bas potentiel lorsqu'il est commuté vers un état DÉSACTIVÉ. Un élément de conduction côté charge est disposé sur un trajet de boucle côté charge formant une partie du trajet de charge, et amène le courant de charge à circuler dans un état de conduction. Un élément de conduction côté décharge est disposé sur un trajet de boucle côté décharge formant une partie du trajet de décharge, et amène le courant de décharge à circuler dans un état de conduction. Une unité de détection de tension est connectée à une borne de sortie de courant de l'élément de conduction côté charge et/ou de l'élément de conduction côté décharge, et un élément de résistance est connecté en parallèle à l'élément de conduction côté charge et/ou à l'élément de conduction côté décharge. Au moins le commutateur de charge, le commutateur de décharge et l'unité de détection de tension sont configurés sous la forme d'un circuit intégré d'excitation.
(JA) 充電用端子及び放電用端子は半導体スイッチの導通制御端子に接続され、複数の半導体スイッチそれぞれの導通制御端子に、オン状態に切り替える際に充電電流を流す充電スイッチ及び充電用端子を含む充電経路と、それぞれの導通制御端子及び低電位側導通端子間に、オフ状態に切り替える際に放電電流を流す放電スイッチ及び放電用端子を含む放電経路とを備える。充電側通電素子は、前記充電経路の一部を形成する充電側ループ経路に配置され、導通状態になると充電電流を流す。放電側通電素子は、前記放電経路の一部を形成する放電側ループ経路に配置され、導通状態になると放電電流を流す。電圧検出部は、充電側通電素子及び/又は放電側通電素子の電流出力端子に接続され、抵抗素子は、充電側通電素子及び/又は放電側通電素子に並列接続される。少なくとも充電スイッチ,放電スイッチ及び電圧検出部が駆動ICとして構成される。
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Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)