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1. (WO2018163258) FLASH MEMORY MODULE, STORAGE SYSTEM, AND CONTROL METHOD FOR FLASH MEMORY
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Pub. No.: WO/2018/163258 International Application No.: PCT/JP2017/008852
Publication Date: 13.09.2018 International Filing Date: 06.03.2017
IPC:
G06F 11/10 (2006.01)
G PHYSICS
06
COMPUTING; CALCULATING; COUNTING
F
ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
11
Error detection; Error correction; Monitoring
07
Responding to the occurrence of a fault, e.g. fault tolerance
08
Error detection or correction by redundancy in data representation, e.g. by using checking codes
10
Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out nines or elevens
Applicants:
株式会社日立製作所 HITACHI, LTD. [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内一丁目6番6号 6-6, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008280, JP
Inventors:
鈴木 彬史 SUZUKI, Akifumi; JP
小川 純司 OGAWA, Junji; JP
Agent:
特許業務法人藤央特許事務所 TOU-OU PATENT FIRM; 東京都港区虎ノ門一丁目16番4号アーバン虎ノ門ビル Urban Toranomon Bldg., 16-4, Toranomon 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1050001, JP
Priority Data:
Title (EN) FLASH MEMORY MODULE, STORAGE SYSTEM, AND CONTROL METHOD FOR FLASH MEMORY
(FR) MODULE DE MÉMOIRE FLASH, SYSTÈME DE STOCKAGE ET PROCÉDÉ DE COMMANDE POUR MÉMOIRE FLASH
(JA) フラッシュメモリモジュール、ストレージシステム、及びフラッシュメモリの制御方法
Abstract:
(EN) This flash memory module includes flash memories and a controller. The controller acquires information indicating the reliability of monitored data in a flash memory, and if the controller determines that the reliability indicated by the acquired information is lower than that determined on the basis of predetermined conditions, then the controller: identifies a first cell, which is among the cells of the flash memory corresponding to error bits of the monitored data, and which has a lower threshold voltage level than would be the case if the monitored data were transformed into expected value data by correcting the error bits; and transmits, to the flash memory, rewrite modification cell data, which is the portion of the expected value data corresponding to the data in the first cell. The flash memory then injects electrons into the first cell on the basis of the threshold voltage indicated by the rewrite modification cell data.
(FR) L'invention concerne un module de mémoire flash comprenant des mémoires flash et un dispositif de commande. Le dispositif de commande acquiert des informations indiquant la fiabilité des données surveillées dans une mémoire flash. Ensuite, si le dispositif de commande détermine que la fiabilité indiquée par les informations acquises est inférieure à celle déterminée d’après des conditions prédéterminées, le dispositif de commande : identifie une première cellule qui figure parmi les cellules de la mémoire flash correspondant aux bits d'erreur des données surveillées et qui possède un niveau de tension de seuil inférieur à ce qu’il serait si les données surveillées étaient transformées en données de valeur escomptées en corrigeant les bits d'erreur ; et transmet, à la mémoire flash, des données de cellule de modification de réécriture, c’est-à-dire la partie des données de valeur escomptées correspondant aux données dans la première cellule. La mémoire flash injecte ensuite des électrons dans la première cellule d’après la tension de seuil indiquée par les données de cellule de modification de réécriture.
(JA) フラッシュメモリモジュールは、フラッシュメモリと、コントローラと、を含み、コントローラは、フラッシュメモリの監視対象データの信頼性を示す情報を取得し、取得した情報が示す信頼性が所定の条件と比較して低いと判定した場合、監視対象データのエラービットが発生したセルのうち、閾値電圧のレベルが、監視対象データのエラービットが訂正された期待値データにおいて対応するセルの閾値電圧のレベルより低いセル、である第1セルを特定し、第1セルのデータに期待値データにおいて対応するデータ、であるリライト修正対象セルデータを、フラッシュメモリに送信し、フラッシュメモリは、リライト修正対象セルデータが示す閾値電圧に基づいて、第1セルに電子を注入する。
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Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)