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1. (WO2018162409) RADIATION-EMITTING SEMICONDUCTOR BODY AND SEMICONDUCTOR CHIP
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Pub. No.: WO/2018/162409 International Application No.: PCT/EP2018/055340
Publication Date: 13.09.2018 International Filing Date: 05.03.2018
IPC:
H01L 33/14 (2010.01)
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33
Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02
characterised by the semiconductor bodies
14
with a carrier transport control structure, e.g. highly-doped semiconductor layer or current-blocking structure
Applicants:
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg, DE
Inventors:
WANG, Xue; DE
BRÖLL, Markus; DE
NIRSCHL, Anna; DE
Agent:
ZUSAMMENSCHLUSS NR. 175 - EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München, DE
Priority Data:
10 2017 104 719.007.03.2017DE
Title (EN) RADIATION-EMITTING SEMICONDUCTOR BODY AND SEMICONDUCTOR CHIP
(FR) CORPS SEMICONDUCTEUR ÉMETTEUR DE RAYONNEMENT ET PUCE SEMICONDUCTRICE
(DE) STRAHLUNGSEMITTIERENDER HALBLEITERKÖRPER UND HALBLEITERCHIP
Abstract:
(EN) The invention relates to a radiation-emitting semiconductor body (1) having a semiconductor layer sequence (2) which has an active region (20) provided for generating radiation, an n-conducting region (21) and a p-conducting region (22), the active region being mounted between the n-conducting region and the p-conducting region; the p-conducting region having a current distribution layer (3) based on a phosphide compound semiconductor material; and the current distribution layer is doped with a doping material that is incorporated into phosphorus lattice sites. Also disclosed is a semiconductor chip comprising a semi-conductor body of said type.
(FR) L'invention concerne un corps semiconducteur émetteur de rayonnement (1) comprenant une succession de couches semiconductrices (2) qui présente une zone active (20) destinée à générer un rayonnement, une zone à conduction de type n (21) et une zone à conduction de type p (22), la zone active étant disposée entre la zone à conduction de type n et la zone à conduction de type p; la zone à conduction de type p étant une couche de couche d'étalement de courant (3) à base d'un matériau semiconducteur composé de phosphure; et la couche d'étalement de courant étant dopée avec un premier dopant qui est incorporé à des emplacements de grille de phosphore. L'invention concerne également une puce semiconductrice comportant un tel corps semiconducteur.
(DE) Es wird ein strahlungsemittierender Halbleiterkörper (1) mit einer Halbleiterschichtenfolge (2), die einen zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (20), einen n- leitenden Bereich (21) und einen p-leitenden Bereich (22) aufweist,angegeben,wobei -der aktive Bereich zwischen dem n-leitenden Bereich und dem p-leitenden Bereich angeordnet ist; -der p-leitende Bereich eine Stromaufweitungsschicht(3), die auf einem Phosphid-Verbindungshalbleitermaterial basiert, aufweist; und -die Stromaufweitungsschichtmit einem ersten Dotierstoff dotiert ist, der an Phosphor-Gitterplätzen eingebaut ist. Weiterhin wird ein Halbleiterchip mit einem solchen Halbleiterkörper angegeben.
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Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)