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1. (WO2018160242) FORMING MEMORY CELL FILM IN STACK OPENING
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Pub. No.: WO/2018/160242 International Application No.: PCT/US2017/063398
Publication Date: 07.09.2018 International Filing Date: 28.11.2017
IPC:
H01L 27/1158 (2017.01) ,H01L 27/11524 (2017.01) ,H01L 27/11553 (2017.01) ,H01L 27/1157 (2017.01)
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Applicants:
SANDISK TECHNOLOGIES LLC [US/US]; 6900 DALLAS PARKWAY, SUITE 325 PLANO, Texas 75024, US
Inventors:
BARASKAR, Ashish; US
PANG, Liang; US
ZHANG, Yanli; US
LU, Ching-Huang; US
DONG, Yingda; US
Agent:
MAGEN, Burt; US
Priority Data:
15/448,40902.03.2017US
Title (EN) FORMING MEMORY CELL FILM IN STACK OPENING
(FR) FORMATION D'UN FILM DE CELLULE DE MÉMOIRE DANS UNE OUVERTURE D'EMPILEMENT
Abstract:
(EN) Disclosed herein are methods of forming non-volatile storage. An opening may be etched through a stack of two alternating materials to a semiconductor substrate. A silicon nitride film may be formed on a vertical sidewall of the opening. The semiconductor substrate may be cleaned to remove oxide from the semiconductor substrate. The silicon nitride film protects the materials in the stack while cleaning the semiconductor substrate. The silicon nitride film may be converted to an oxide after cleaning the semiconductor substrate. A semiconductor region may be formed in contact with the cleaned semiconductor substrate. A memory cell film may be formed over the oxide in the opening. Control gates may be formed by replacing one of the materials in the stack with a conductive material. The oxide may serve as a blocking layer between the control gates and charge storage regions in the memory cell film.
(FR) L'invention concerne des procédés de formation d'une mémoire non volatile. Une ouverture peut être gravée à travers un empilement de deux matériaux alternés sur un substrat semi-conducteur. Un film de nitrure de silicium peut être formé sur une paroi latérale verticale de l'ouverture. Le substrat semi-conducteur peut être nettoyé pour éliminer l'oxyde du substrat semi-conducteur. Le film de nitrure de silicium protège les matériaux dans l'empilement tout en nettoyant le substrat semi-conducteur. Le film de nitrure de silicium peut être transformé en un oxyde après nettoyage du substrat semi-conducteur. Une région semi-conductrice peut être formée en contact avec le substrat semi-conducteur nettoyé. Un film de cellule de mémoire peut être formé sur l'oxyde dans l'ouverture. Des grilles de commande peuvent être formées en remplaçant l'un des matériaux dans l'empilement par un matériau conducteur. L'oxyde peut servir de couche de blocage entre les grilles de commande et les régions de stockage de charge dans le film de cellule de mémoire.
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Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)