Some content of this application is unavailable at the moment.
If this situation persist, please contact us atFeedback&Contact
1. (WO2018159057) MAGNETIC STORAGE ELEMENT, MAGNETIC STORAGE DEVICE, ELECTRONIC APPLIANCE, AND METHOD FOR MANUFACTURING MAGNETIC STORAGE ELEMENT
Latest bibliographic data on file with the International Bureau    Submit observation

Pub. No.: WO/2018/159057 International Application No.: PCT/JP2017/044209
Publication Date: 07.09.2018 International Filing Date: 08.12.2017
IPC:
H01L 21/8239 (2006.01) ,H01L 27/105 (2006.01) ,H01L 29/82 (2006.01) ,H01L 43/08 (2006.01) ,H01L 43/12 (2006.01)
[IPC code unknown for H01L 21/8239][IPC code unknown for H01L 27/105][IPC code unknown for H01L 29/82][IPC code unknown for H01L 43/08][IPC code unknown for H01L 43/12]
Applicants:
ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP/JP]; 神奈川県厚木市旭町四丁目14番1号 4-14-1, Asahi-cho, Atsugi-shi, Kanagawa 2430014, JP
Inventors:
内田 裕行 UCHIDA, Hiroyuki; JP
細見 政功 HOSOMI, Masanori; JP
大森 広之 OHMORI, Hiroyuki; JP
別所 和宏 BESSHO, Kazuhiro; JP
肥後 豊 HIGO, Yutaka; JP
佐藤 陽 SATO, Yo; JP
長谷 直基 HASE, Naoki; JP
Agent:
亀谷 美明 KAMEYA, Yoshiaki; JP
金本 哲男 KANEMOTO, Tetsuo; JP
萩原 康司 HAGIWARA, Yasushi; JP
松本 一騎 MATSUMOTO, Kazunori; JP
Priority Data:
2017-03819801.03.2017JP
Title (EN) MAGNETIC STORAGE ELEMENT, MAGNETIC STORAGE DEVICE, ELECTRONIC APPLIANCE, AND METHOD FOR MANUFACTURING MAGNETIC STORAGE ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT DE STOCKAGE MAGNÉTIQUE, DISPOSITIF DE STOCKAGE MAGNÉTIQUE, APPAREIL ÉLECTRONIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ÉLÉMENT DE STOCKAGE MAGNÉTIQUE
(JA) 磁気記憶素子、磁気記憶装置、電子機器、および磁気記憶素子の製造方法
Abstract:
(EN) Provided are a magnetic storage element, a magnetic storage device, and an electronic appliance. The magnetic storage element stores multi-value information and comprises: a plurality of tunnel junction elements (20, 30) that are electrically connected in parallel with each other and respectively include reference layers (23, 33) in which the magnetization direction is fixed, storage layers (25, 35) in which the magnetization direction can be reversed, and insulator layers (24, 34) that are sandwiched between the reference layers and the storage layers. The plurality of tunnel junction elements have the same film configurations. The individual layers of the film configurations are formed of the same materials and have the same thicknesses. The cross-section shape of each of the plurality of tunnel junction elements when the tunnel junction elements are cut in a stacking direction is a polygonal shape having an upper side and a lower side that are parallel to each other. The ratios of the lower sides to the upper sides (W1B/W1T, W2B/W2T) are different in the plurality of tunnel junction elements.
(FR) L'invention concerne un élément de stockage magnétique, un dispositif de stockage magnétique et un appareil électronique. L'élément de stockage magnétique stocke des informations à multiples valeurs et comprend : une pluralité d'éléments de jonction tunnel (20, 30) qui sont électriquement connectés en parallèle les uns aux autres et comprennent respectivement des couches de référence (23, 33) dans lesquelles la direction de magnétisation est fixe, des couches de stockage (25, 35) dans lesquelles la direction de magnétisation peut être inversée, et des couches d'isolation (24, 34) qui sont prises en sandwich entre les couches de référence et les couches de stockage. La pluralité d'éléments de jonction tunnel ont les mêmes configurations de film. Les couches individuelles des configurations de film sont formées des mêmes matériaux et ont les mêmes épaisseurs. La forme de section transversale de chaque élément de la pluralité d'éléments de jonction tunnel lorsque les éléments de jonction tunnel sont coupés dans une direction d'empilement est une forme polygonale ayant un côté supérieur et un côté inférieur qui sont parallèles l'un à l'autre. Les rapports des côtés inférieurs aux côtés supérieurs (W1B/W1T, W2B/W2T) sont différents dans la pluralité d'éléments de jonction tunnel.
(JA) 磁化方向が固定された参照層(23,33),磁化方向が反転可能な記憶層(25,35),および前記参照層と前記記憶層との間に挟持された絶縁体層(24,34)をそれぞれ含み,互いに電気的に並列接続された複数のトンネル接合素子(20,30)を備え,前記複数のトンネル接合素子は,互いに同一の膜構成を有し,前記膜構成の各層は,互いに同一の材料および膜厚で形成され,前記複数のトンネル接合素子を積層方向に切断した断面形状の各々は,互いに平行な上辺および下辺を含む多角形状であり,前記上辺に対する前記下辺の比(W1B/W1T,W2B/W2T)は,前記複数のトンネル接合素子ごとに互いに異なる,多値情報を記憶する磁気記憶素子,磁気記憶装置,および電子機器を提供する。
front page image
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)