Some content of this application is unavailable at the moment.
If this situation persist, please contact us atFeedback&Contact
1. (WO2018158529) METHOD FOR MANUFACTURING A DONOR SUBSTRATE FOR MAKING OPTOELECTRONIC DEVICES
Note: Text based on automatic Optical Character Recognition processes. Please use the PDF version for legal matters

REVENDICATIONS

Procédé de préparation d'une couche de semi-conducteur cristallin (2') pour qu'elle présente un paramètre de maille déterminé, le procédé mettant en œuvre une séquence de relaxation comprenant :

- la formation d'une couche contrainte (2) sur un substrat donneur de départ (1) ;

- le transfert d'une partie au moins de la couche contrainte (2) sur un support de relaxation (3) comprenant une couche de fluage (3b) ;

- l'application d'un traitement thermique suffisant pour relaxer au moins en partie la couche contrainte (2) et fournir une couche relaxée (2') sur le support de relaxation (3) ;

- le report de la couche relaxée (2') sur un support de base (5a) pour former un second substrat donneur (5) ;

le procédé étant caractérisé en ce que la séquence de relaxation est appliquée une première fois sur un premier substrat donneur de départ (1) puis répétée, en prenant le second substrat donneur (5) comme substrat donneur de départ, un nombre suffisant de fois pour que le paramètre de maille de la couche relaxée (2') présente le paramètre de maille déterminé .

Procédé selon la revendication précédente dans lequel le premier substrat donneur de départ (1) comprend une couche superficielle (la) de GaN.

Procédé selon l'une des revendications précédentes dans lequel la couche contrainte (2) est une couche d' InGaN présentant une proportion d' indium suffisant pour être contrainte en compression lors de sa formation sur le substrat donneur de départ (1) .

Procédé selon l'une des revendications précédentes dans lequel l'étape de transfert de la séquence de relaxation comprend le collage de la couche contrainte (2) sur le support de relaxation (3) comprenant une couche de fluage (3b) et l'élimination du substrat donneur de départ (1) par amincissement et/ou fracture et/ou détachement laser.

Procédé selon la revendication précédente dans lequel l'élimination du substrat donneur de départ (1) se réalise après l'étape de traitement thermique.

Procédé selon l'une des revendications précédentes dans lequel la séquence de relaxation comprend le traitement de la couche contrainte (2) pour former des îlots avant l'étape de traitement thermique de relaxation.

Procédé selon la revendication précédente dans lequel la séquence de relaxation comprend une étape de formation d'une couche continue relaxée (6) par dépôt coalescent sur les îlots (2') après le report des îlots (2') sur le support de base (5a) .

Procédé selon l'une des revendications précédentes dans lequel l'étape de report de la séquence de relaxation comprend le collage de la couche relaxée (2') sur le support de base (5a) et l'élimination du support de relaxation (3a) et de la couche de fluage (3b) par amincissement et/ou fracture et/ou détachement laser.

9. Procédé selon l'une des revendications précédentes dans lequel le paramètre de maille déterminé est compris entre 3,22 Â et 3,31 Â.