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1. (WO2018157492) PREPARATION METHOD FOR P-TYPE PERC SOLAR CELL, P-TYPE PERC SOLAR CELL, CELL ASSEMBLY, AND CELL SYSTEM
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Pub. No.: WO/2018/157492 International Application No.: PCT/CN2017/087355
Publication Date: 07.09.2018 International Filing Date: 07.06.2017
IPC:
H01L 31/048 (2014.01) ,H01L 31/18 (2006.01)
[IPC code unknown for H01L 31/048][IPC code unknown for H01L 31/18]
Applicants:
广东爱康太阳能科技有限公司 GUANGDONG AIKO SOLAR ENERGY TECHNOLOGY CO., LTD [CN/CN]; 中国广东省佛山市 三水区三水工业园区C区69号 No. 69, Area C, Sanshui Industrial Park, Sanshui Foshan, Guangdong 528000, CN
浙江爱旭太阳能科技有限公司 ZHEJIANG AIKO SOLAR ENERGY TECHNOLOGY CO., LTD [CN/CN]; 中国浙江省义乌市 苏溪镇苏福路126号 No. 126 Sufu Road, Suxi Town Yiwu, Zhejiang 321000, CN
Inventors:
何达能 HO, Ta-Neng; CN
方结彬 FANG, Jiebin; CN
陈刚 CHEN, Gang; CN
Agent:
广州三环专利商标代理有限公司 SCIHEAD IP LAW FIRM; 中国广东省广州市 越秀先烈中路80号汇华商贸大厦1508 Room 1508, Huihua Commercial & Trade Building No.80 Xianlie Zhong Road, Yuexiu Guangzhou, Guangdong 510000, CN
Priority Data:
201710124821.X03.03.2017CN
Title (EN) PREPARATION METHOD FOR P-TYPE PERC SOLAR CELL, P-TYPE PERC SOLAR CELL, CELL ASSEMBLY, AND CELL SYSTEM
(FR) PROCÉDÉ DE PRÉPARATION DE CELLULE SOLAIRE PERC DE TYPE P, CELLULE SOLAIRE PERC DE TYPE P, ENSEMBLE DE CELLULES ET SYSTÈME DE CELLULES
(ZH) P型PERC太阳能电池的制备方法、电池、组件和系统
Abstract:
(EN) Provided is a preparation method for a P-type passivated emitter and rear contact (PERC) solar cell, comprising the following steps of: forming a suede face on the front surface of a silicon wafer (S100); diffusing on the front surface of the silicon wafer, to form an N-type emitter (S101); removing phosphorosilicate glass and peripheral PN junctions (S102); depositing an alumina film at the back surface of the silicon wafer (S104); depositing silicon nitride films on both the front surface and the back surface of the silicon wafer employing a plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) double-sided deposition device (S105); laser grooving on the back surface of the silicon wafer (S106); printing back surface electrode slurry on the back surface of the silicon wafer and drying same (S107); printing aluminum slurry on the back surface of the silicon wafer and drying same (S108); printing front surface electrode slurry on the front surface of the silicon wafer (S109); performing high temperature sintering on the silicon wafer, to form a back surface electrode, a full aluminum back electric field, and a front surface electrode (S110); and performing anti-light-induced damping (LID) annealing on the silicon wafer, to prepare the P-type PERC solar cell (S111). Further provided are a P-type PERC solar cell, a cell assembly, and a cell system. Said preparation method can improve production efficiency and reduce scratching of the silicon wafer.
(FR) La présente invention concerne un procédé de préparation d'une cellule solaire à contact arrière et émetteur passivé de type P (PERC) consistant : à former une face suédée sur la surface avant d'une tranche de silicium (S100) ; à diffuser sur la surface avant de la tranche de silicium, afin de former un émetteur de type N (S101) ; à éliminer du verre de phosphosilicate et des jonctions PN périphériques (S102) ; à déposer un film d'alumine sur la surface arrière de la tranche de silicium (S104) ; à déposer des films de nitrure de silicium sur la surface avant et la surface arrière de la tranche de silicium à l'aide d'un dispositif de dépôt double face par dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD) (S105) ; à effectuer un rainurage au laser sur la surface arrière de la tranche de silicium (S106) ; à imprimer une suspension épaisse d'électrode de surface arrière sur la surface arrière de la tranche de silicium et à sécher cette dernière (S107) ; à imprimer une suspension épaisse d'aluminium sur la surface arrière de la tranche de silicium et à sécher cette dernière (S108) ; à imprimer une suspension épaisse d'électrode de surface avant sur la surface avant de la tranche de silicium (S109) ; à effectuer un frittage à haute température sur la tranche de silicium, afin de former une électrode de surface arrière, un champ électrique arrière complètement en aluminium, et une électrode de surface avant (S110) ; et à réaliser un recuit anti- amortissement induit par la lumière (LID) sur la tranche de silicium, afin de préparer la cellule solaire PERC de type P (S111). L'invention concerne en outre une cellule solaire PERC de type P, un ensemble de cellules et un système de cellules. Ledit procédé de préparation peut améliorer l'efficacité de production et réduire les rayures de la tranche de silicium.
(ZH) 提供一种P型钝化发射极背接触(PERC)太阳能电池的制备方法,包括以下步骤:在硅片正面形成绒面(S100);在硅片正面进行扩散,形成N型发射极(S101);去除磷硅玻璃和周边PN结(S102);在硅片背面沉积氧化铝膜(S104);采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)双面沉积设备,在硅片的正面和背面同时沉积氮化硅膜(S105);对硅片背面进行激光开槽(S106);在硅片背面印刷背面电极浆料,烘干(S107);在硅片背面印刷铝浆,烘干(S108);在硅片正面印刷正面电极浆料(S109);对硅片进行高温烧结,形成背面电极、全铝背电场和正面电极(S110);对硅片进行抗光致衰减(LID)退火,制得P型PERC太阳能电池(S110)。还提供一种P型PERC太阳能电池、组件和系统。该制备方法可提高生产效率,减少硅片的划伤。
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Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)