(EN) The present invention provides a readout circuit and readout method for a three-dimensional memory. The readout circuit comprises: a read reference circuit used for producing read reference current capable of quickly distinguishing read low resistance state unit current and read high resistance state unit current; and a sensitive amplifier. The read reference circuit comprises a reference unit, a bit line matching module, a word line matching module, and a transmission gate parasitic parameter matching module. In the present invention, for the parasitic effect and electric leakage of a three-dimensional memory in plane and vertical directions, the matching of bit line parasitic parameters, electric leakage and transmission gate parasitic parameters is introduced into the read reference current, the matching of current mirror parasitic parameters is introduced into read current, a pseudo-read phenomenon is eliminated, and the readout time is shortened; and the application range is wide, and the readout accuracy is high.
(FR) La présente invention concerne un circuit de lecture et un procédé de lecture pour une mémoire tridimensionnelle. Le circuit de lecture comprend : un circuit de référence de lecture utilisé pour produire un courant de référence de lecture capable de distinguer rapidement un courant d'unité d'état de résistance basse de lecture et un courant d'unité d'état de résistance élevée de lecture; et un amplificateur sensible. Le circuit de référence de lecture comprend une unité de référence, un module de mise en correspondance de lignes de bits, un module de mise en correspondance de lignes de mots et un module de mise en correspondance de paramètres parasites de grille de transmission. Dans la présente invention, pour l'effet parasite et la fuite électrique d'une mémoire tridimensionnelle dans des directions planes et verticales, la mise en correspondance de paramètres parasites de ligne de bits, de fuite électrique et de paramètres parasites de grille de transmission est introduite dans le courant de référence de lecture, la mise en correspondance des paramètres parasites de miroir de courant est introduite en courant de lecture, un phénomène de pseudo-lecture est éliminé, et le temps de lecture est raccourci; et la plage d'application est large, et la précision de lecture est élevée.
(ZH) 本发明提供一种三维存储器读出电路及读出方法，包括：读参考电路，产生一个可以快速区分读低阻态单元电流和读高阻态单元电流的读参考电流；以及灵敏放大器。读参考电路包括参考单元、位线匹配模块、字线匹配模块和传输门寄生参数匹配模块。本发明针对三维存储器在平面和垂直方向的寄生效应和漏电，在读参考电流中引入对位线寄生参数、漏电和传输门寄生参数的匹配，在读电流中引入对电流镜寄生参数的匹配，消除了伪读取现象，减小了读出时间；且适用范围广、读出正确率高。
