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1. (WO2018146883) ELASTIC WAVE DEVICE, HIGH FREQUENCY FRONT END CIRCUIT, AND COMMUNICATION DEVICE
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Pub. No.: WO/2018/146883 International Application No.: PCT/JP2017/040850
Publication Date: 16.08.2018 International Filing Date: 14.11.2017
IPC:
H03H 9/145 (2006.01) ,H03H 9/25 (2006.01) ,H03H 9/64 (2006.01)
H ELECTRICITY
03
BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
H
IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
9
Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
02
Details
125
Driving means, e.g. electrodes, coils
145
for networks using surface acoustic waves
H ELECTRICITY
03
BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
H
IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
9
Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
25
Constructional features of resonators using surface acoustic waves
H ELECTRICITY
03
BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
H
IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
9
Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
46
Filters
64
using surface acoustic waves
Applicants:
株式会社村田製作所 MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP/JP]; 京都府長岡京市東神足1丁目10番1号 10-1, Higashikotari 1-chome, Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555, JP
Inventors:
山根 毅 YAMANE, Takashi; JP
Agent:
特許業務法人 宮▲崎▼・目次特許事務所 MIYAZAKI & METSUGI; 大阪府大阪市中央区常盤町1丁目3番8号 中央大通FNビル Chuo Odori FN Bldg., 3-8, Tokiwamachi 1-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5400028, JP
Priority Data:
2017-02309710.02.2017JP
Title (EN) ELASTIC WAVE DEVICE, HIGH FREQUENCY FRONT END CIRCUIT, AND COMMUNICATION DEVICE
(FR) DISPOSITIF À ONDES ÉLASTIQUES, CIRCUIT FRONTAL HAUTE FRÉQUENCE ET DISPOSITIF DE COMMUNICATION
(JA) 弾性波装置、高周波フロントエンド回路及び通信装置
Abstract:
(EN) Provided is an elastic wave device, which has a plurality of IDT electrodes having different wavelengths determined by an electrode finger pitch, wherein variations in temperature characteristics can be reduced between at least two IDT electrodes. A piezoelectric thin film 5 is directly or indirectly laminated on a high acoustic velocity member in which the acoustic velocity of a propagating bulk wave is higher than the acoustic velocity of an elastic wave propagating through the piezoelectric thin film 5. A silicon oxide film 6 is laminated on the piezoelectric thin film 5, and a plurality of IDT electrodes 11, 12 are laminated on the silicon oxide film 6, the plurality of IDT electrodes 11, 12 having different wavelengths determined by an electrode finger pitch. In an elastic wave device 1, y is 350% or less and y<1.6x(-0.01)+0.05x(-0.6)-1, wherein the wavelength of an IDT electrode having the shortest wavelength among the plurality of IDT electrodes 11, 12 is λ, the wavelength normalized film thickness (%), which is the ratio of the thickness of the piezoelectric thin film 5 to the wavelength λ, is y, and the wavelength normalized film thickness (%), which is the ratio of the thickness of the silicon oxide film 6 to the wavelength λ, is x.
(FR) L'invention concerne un dispositif à ondes élastiques qui possède une pluralité d'électrodes IDT ayant différentes longueurs d'onde déterminées par un pas entre tiges d'électrode, des variations de caractéristiques de température pouvant être réduites entre au moins deux électrodes IDT. Un film mince piézoélectrique (5) est stratifié directement ou indirectement sur un élément à vitesse acoustique élevée dans lequel la vitesse acoustique d'une onde de volume de propagation est supérieure à la vitesse acoustique d'une onde élastique se propageant dans le film mince piézoélectrique (5). Un film d'oxyde de silicium (6) est stratifié sur le film mince piézoélectrique (5) et une pluralité d'électrodes IDT (11, 12) sont stratifiées sur le film d'oxyde de silicium (6), la pluralité d'électrodes IDT (11, 12) ayant différentes longueurs d'onde déterminées par un pas de tige d'électrode. Dans un dispositif d'ondes élastiques (1), y est inférieur ou égal à 350 % et y<1,6x(-0,01)+0,05x(-0,6)-1, la longueur d'onde d'une électrode IDT ayant la longueur d'onde la plus courte parmi la pluralité d'électrodes IDT (11, 12) étant λ, l'épaisseur de film normalisée en longueur d'onde (%), qui est le rapport entre l'épaisseur du film mince piézoélectrique (5) et la longueur d'onde λ, est y et l'épaisseur de film normalisée en longueur d'onde (%), qui est le rapport entre l'épaisseur du film d'oxyde de silicium (6) et la longueur d'onde λ, est x.
(JA) 電極指ピッチで定まる波長が異なる複数のIDT電極を有するが、少なくとも2つのIDT電極間で温度特性の差を小さくすることができる、弾性波装置を提供する。 伝搬するバルク波の音速が圧電薄膜5を伝搬する弾性波の音速より高速である高音速部材に直接または間接に圧電薄膜5が積層されている。圧電薄膜5上に酸化ケイ素膜6が積層されており、酸化ケイ素膜6上に、複数のIDT電極11,12が積層されており、複数のIDT電極11,12が、電極指ピッチで定まる波長が異なる複数のIDT電極11,12を有する。複数のIDT電極11,12のうち、波長が最も短いIDT電極の波長をλ、圧電薄膜5の波長λに対する割合である波長規格化膜厚(%)をy、酸化ケイ素膜6の波長λに対する割合である波長規格化膜厚(%)をxとした場合、yは350%以下であり、かつy<1.6x(-0.01)+0.05x(-0.6)-1である、弾性波装置1。
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Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)