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1. (WO2018144069) ION-DOPED TWO-DIMENSIONAL NANOMATERIALS
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Pub. No.: WO/2018/144069 International Application No.: PCT/US2017/051027
Publication Date: 09.08.2018 International Filing Date: 11.09.2017
IPC:
G01N 27/70 (2006.01) ,H01J 41/02 (2006.01) ,H01J 47/02 (2006.01) ,H01J 49/02 (2006.01) ,B32B 5/16 (2006.01) ,B82Y 40/00 (2011.01)
Applicants: NORTHEASTERN UNIVERSITY[US/US]; 360 Huntington Avenue Boston, MA 02115, US
Inventors: KAR, Swastik; US
HAO, Ji; US
RUBIN, Daniel; US
JUNG, Yung, Joon; US
Agent: HYMEL, Lin, J.; US
HJORTH, Beverly, E.; US
MAHANTA, Sanjeev, K.; US
Priority Data:
62/455,09606.02.2017US
Title (EN) ION-DOPED TWO-DIMENSIONAL NANOMATERIALS
(FR) NANOMATÉRIAUX BIDIMENSIONNELS DOPÉS AUX IONS
Abstract: front page image
(EN) lon-doped two-dimensional nanomaterials are made by inducing electronic carriers (electrons and holes) in a two-dimensional material using a captured ion layer at the surface of the material. The captured ion layer is stabilized using a capping layer. The induction of electronic carriers works in atomically-thin two-dimensional materials, where it induces high carrier density of at least 1014 carriers/cm2. A variety of novel ion-doped nanomaterials and p-n junction-based nanoelectronic devices are made possible by the method.
(FR) L'invention concerne des nanomatériaux bidimensionnels dopés aux ions fabriqués par induction de porteuses électroniques (électrons et trous) dans un matériau bidimensionnel à l'aide d'une couche d'ions capturés à la surface du matériau. La couche d'ions capturés est stabilisée à l'aide d'une couche de recouvrement. L'induction de supports électroniques fonctionne dans des matériaux bidimensionnels atomiquement minces, où elle induit une densité de porteuses élevée d'au moins 1014 porteuses/cm2. Une variété de nouveaux nanomatériaux dopés aux ions et de dispositifs nanoélectroniques fondés sur la jonction p-n sont rendus possibles par le procédé.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)