Some content of this application is unavailable at the moment.
If this situation persist, please contact us atFeedback&Contact
1. (WO2018143458) IN-LIQUID PLASMA DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau    Submit observation

Pub. No.: WO/2018/143458 International Application No.: PCT/JP2018/003831
Publication Date: 09.08.2018 International Filing Date: 05.02.2018
IPC:
H05H 1/24 (2006.01) ,B01J 19/08 (2006.01) ,C02F 1/48 (2006.01)
H ELECTRICITY
05
ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
H
PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY- CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
1
Generating plasma; Handling plasma
24
Generating plasma
B PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
01
PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
J
CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS, COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
19
Chemical, physical, or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
08
Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
C CHEMISTRY; METALLURGY
02
TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
F
TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
1
Treatment of water, waste water, or sewage
48
with magnetic or electric fields
Applicants:
日本スピンドル製造株式会社 NIHON SPINDLE MANUFACTURING CO., LTD. [JP/JP]; 兵庫県尼崎市潮江四丁目2番30号 2-30, Shioe 4-chome, Amagasaki-shi, Hyogo 6618510, JP
Inventors:
大西慶一郎 ONISHI Keiichiro; JP
浅見圭一 ASAMI Keiichi; JP
Agent:
特許業務法人R&C R&C IP LAW FIRM; 大阪府大阪市北区中之島三丁目3番3号 3-3, Nakanoshima 3-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005, JP
Priority Data:
2017-01857803.02.2017JP
Title (EN) IN-LIQUID PLASMA DEVICE
(FR) DISPOSITIF À PLASMA EN MILIEU LIQUIDE
(JA) 液中プラズマ装置
Abstract:
(EN) Provided is an in-liquid plasma device which has a simplified device configuration and for which processing efficiency is improved. An in-liquid plasma device 1 includes a tubular flow channel part 10 in which a liquid flows, and a cavitation generation part A and voltage application part B provided to the tubular flow channel part 10. The cavitation generation part A causes cavitation to occur in the liquid inside the tubular flow channel part 10, and the voltage application part B is disposed in the tubular flow channel part 10 and applies a voltage to the liquid in which cavitation has occurred so as to generate plasma. The cavitation generation part A is constituted by a diaphragm part that has a smaller inner diameter than other locations in the tubular flow channel part 10, and the diaphragm part is composed of an upstream side inclined surface E which is an inclined surface disposed on the upstream side of the narrowest site of the diaphragm part, and a downstream side inclined surface F which is an inclined surface disposed on the downstream side of the narrowest site of the diaphragm part.
(FR) L'invention concerne un dispositif à plasma en milieu liquide qui a une configuration de dispositif simplifiée et pour lequel l'efficacité de traitement est améliorée. Un dispositif à plasma en milieu liquide 1 comprend une partie de canal d'écoulement tubulaire 10 dans laquelle s'écoule un liquide, et une partie de génération de cavitation A ainsi qu'une partie d'application de tension B disposées sur la partie de canal d'écoulement tubulaire 10. La partie de génération de cavitation A provoque une cavitation dans le liquide à l'intérieur de la partie de canal d'écoulement tubulaire 10, et la partie d'application de tension B est disposée dans la partie de canal d'écoulement tubulaire 10 et applique une tension au liquide dans lequel une cavitation s'est produite de façon à générer un plasma. La partie de génération de cavitation A est constituée par une partie de diaphragme qui a un diamètre interne plus petit que d'autres emplacements dans la partie de canal d'écoulement tubulaire 10, et la partie de diaphragme est composée d'une surface inclinée côté amont E qui est une surface inclinée disposée sur le côté amont du site le plus étroit de la partie de diaphragme, et une surface inclinée côté aval F qui est une surface inclinée disposée sur le côté aval du site le plus étroit de la partie de diaphragme.
(JA) 処理効率を高めつつ装置構成を簡便化した液中プラズマ装置を提供する。 液中プラズマ装置1は、液体が内部を流れる管状流路部10と、管状流路部10に設けられたキャビテーション発生部Aおよび電圧印加部Bとを有し、キャビテーション発生部Aは、管状流路部10の内部の液体にキャビテーションを発生させ、電圧印加部Bは、管状流路部10に配置され、キャビテーションが発生した液体に電圧を印加してプラズマを発生させる。キャビテーション発生部Aは、管状流路部10において他の部位よりも内径が小さい絞り部を有して構成され、絞り部は、絞り部の最狭部位の上流側に配置された傾斜面である上流側傾斜面Eと、絞り部の最狭部位の下流側に配置された傾斜面である下流側傾斜面Fとを有して構成される。
front page image
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)