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1. (WO2018143368) SEMICONDUCTOR DEVICE
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Pub. No.: WO/2018/143368 International Application No.: PCT/JP2018/003475
Publication Date: 09.08.2018 International Filing Date: 01.02.2018
IPC:
H01L 31/048 (2014.01)
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31
Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength, or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
04
adapted as conversion devices
042
including a panel or array of photoelectric cells, e.g. solar cells
048
encapsulated or with housing
Applicants:
国立研究開発法人理化学研究所 RIKEN [JP/JP]; 埼玉県和光市広沢2番1号 2-1 Hirosawa, Wako-shi, Saitama 3510198, JP
Inventors:
福田 憲二郎 FUKUDA Kenjiro; JP
染谷 隆夫 SOMEYA Takao; JP
Agent:
龍華国際特許業務法人 RYUKA IP LAW FIRM; 東京都新宿区西新宿1-6-1 新宿エルタワー22階 22F, Shinjuku L Tower, 1-6-1, Nishi-Shinjuku, Shinjuku-ku, Tokyo 1631522, JP
Priority Data:
2017-01912603.02.2017JP
Title (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 半導体デバイス
Abstract:
(EN) A semiconductor device, provided with an elastic first substrate layer, a first electrode layer provided on the first substrate layer, a semiconductor layer provided on the first electrode layer, a second electrode layer provided on the semiconductor layer, and an elastic second substrate layer provided on the second electrode layer. In the thickness direction of the semiconductor device, a neutral surface is located between the center of the first electrode layer and the center of the second electrode layer in the thickness direction, n represents the number of layers provided to the semiconductor device, Ei represents the elastic modulus of the ith layer from one side of the semiconductor device, and ti and tj represent the thickness of the ith layer and the jth layer, respectively, from among the layers provided to the semiconductor device.
(FR) La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteurs, pourvu d'une première couche de substrat élastique, d'une première couche d'électrode disposée sur la première couche de substrat, d'une couche semi-conductrice disposée sur la première couche d'électrode, d'une seconde couche d'électrode disposée sur la couche semi-conductrice, et d'une seconde couche de substrat élastique disposée sur la seconde couche d'électrode. Dans le sens de l'épaisseur du dispositif à semi-conducteurs, une surface neutre est située entre le centre de la première couche d'électrode et le centre de la seconde couche d'électrode dans le sens de l'épaisseur, n représente le nombre de couches fournies au dispositif à semi-conducteurs, Ei représente le module élastique de l'ième couche d'un côté du dispositif à semi-conducteurs, et ti et tj représentent respectivement l'épaisseur de l'ième couche et de la jème couche, parmi les couches fournies au dispositif à semi-conducteurs.
(JA) 半導体デバイスは、弾性を有する第1基材層と、第1基材層上に設けられた第1電極層と、第1電極層上に設けられた半導体層と、半導体層上に設けられた第2電極層と、第2電極層上に設けられ、弾性を有する第2基材層とを備え、半導体デバイスの厚さ方向において、中立面が、厚さ方向において第1電極層の中心と第2電極層の中心との間に位置し、nは、半導体デバイスが備える層の数を示し、Eは、半導体デバイスが備える層のうち、半導体デバイスの一方の側からi番目の層の弾性率を示し、t及びtは、それぞれi番目の層の厚さ及びj番目の層の厚さを示す。
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)