(EN) In this method for producing an R-T-B sintered magnet, an R-T-B sintered magnet material, an RH compound (at least one compound selected from among an RH fluoride, an RH oxide, and an RH oxyfluoride), and an RL-Ga alloy are prepared. The sintered magnet material contains 27.5-35.0 mass% of R, 0.80-0.99 mass% of B, 0-0.8 mass% of Ga, 0-2 mass% of M (M is at least one of Cu, Al, Nb, and Zr), and 60 mass% or more of T. The following are performed in the method: a diffusion step in which at least part of the RH compound and at least part of the RL-Ga alloy are brought into contact with at least part of the surface of the sintered magnet material and the amount of RH included in the sintered magnet material is increased by 0.05-0.40 mass% by performing first heat treatment at a temperature of 700-950°C; and second heat treatment performed at a temperature that is in the range of 450-750°C and lower than the temperature of the first heat treatment.
(FR) Dans ce procédé de production d'un aimant fritté R-T-B, un matériau d'aimant fritté R-T-B, un composé RH (au moins un composé choisi parmi un fluorure RH, un oxyde RH, et un oxyfluorure RH), et un alliage RL-Ga sont préparés. Le matériau d'aimant fritté contient de 27,5 à 35,0 % en masse de R, de 0,80 à 0,99 % en masse de B, de 0 à 0,8 % en masse de Ga, de 0 à 2 % en masse de M (M est au moins un élément parmi Cu, Al, Nb et Zr), et 60 % en masse ou plus de T. Les étapes suivantes sont effectuées dans le procédé : une étape de diffusion au cours de laquelle au moins une partie du composé RH et au moins une partie de l'alliage RL-Ga sont mises en contact avec au moins une partie de la surface du matériau d'aimant fritté et la quantité de RH comprise dans le matériau d'aimant fritté est augmentée de 0,05 à 0,40 % en masse en effectuant un premier traitement thermique à une température de 700 à 950 °C ; et un second traitement thermique effectué à une température qui est dans la plage de 450 à 750 °C et inférieure à la température du premier traitement thermique.
(JA) Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材、ＲＨ化合物（ＲＨフッ化物、ＲＨ酸化物、ＲＨ酸フッ化物から選ばれる少なくとも一種）及びＲＬ－Ｇａ合金を準備する。焼結磁石素材は、Ｒ：２７．５～３５．０質量％、Ｂ：０．８０～０．９９質量％、Ｇａ：０～０．８質量％、Ｍ：０～２質量％（ＭはＣｕ、Ａｌ、Ｎｂ、Ｚｒの少なくとも一種）、Ｔ：６０質量％以上を含有する。焼結磁石素材表面の少なくとも一部にＲＨ化合物の少なくとも一部及びＲＬ－Ｇａ合金の少なくとも一部を接触させ、７００℃以上９５０℃以下の温度で第一の熱処理を実施することで焼結磁石素材に含有されるＲＨ量を０．０５質量％以上０．４０質量％以下増加させる拡散工程と、４５０℃以上７５０℃以下の温度で前記第一の熱処理温度よりも低い温度で第二の熱処理を実施する。
