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1. (WO2018143045) SURFACE ACOUSTIC WAVE DEVICE
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Pub. No.: WO/2018/143045 International Application No.: PCT/JP2018/002253
Publication Date: 09.08.2018 International Filing Date: 25.01.2018
IPC:
H03H 9/25 (2006.01) ,H03H 9/64 (2006.01)
H ELECTRICITY
03
BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
H
IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
9
Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
25
Constructional features of resonators using surface acoustic waves
H ELECTRICITY
03
BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
H
IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
9
Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
46
Filters
64
using surface acoustic waves
Applicants:
株式会社村田製作所 MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP/JP]; 京都府長岡京市東神足1丁目10番1号 10-1, Higashikotari 1-chome, Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555, JP
Inventors:
川崎 幸一郎 KAWASAKI, Koichiro; JP
Agent:
特許業務法人深見特許事務所 FUKAMI PATENT OFFICE, P.C.; 大阪府大阪市北区中之島三丁目2番4号 中之島フェスティバルタワー・ウエスト Nakanoshima Festival Tower West, 2-4, Nakanoshima 3-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005, JP
Priority Data:
2017-01868503.02.2017JP
Title (EN) SURFACE ACOUSTIC WAVE DEVICE
(FR) DISPOSITIF À ONDES ACOUSTIQUES DE SURFACE
(JA) 弾性表面波装置
Abstract:
(EN) A surface acoustic wave device (10) is provided with a piezoelectric substrate (24), a plurality of functional elements (30) formed on the piezoelectric substrate (24), a cover section (20) arranged so as to face the piezoelectric substrate (24) with a support layer (22) therebetween, and input/output terminals (28) arranged on the cover section (20). An IDT (interdigital transducer) electrode is included in at least some of the plurality of functional elements (30) and a surface acoustic wave resonator is formed by the piezoelectric substrate (24) and the IDT electrodes. The plurality of functional elements (30) includes a filter unit (100) through which a signal in a predetermined frequency band is made to pass and a cancel circuit (110) that is connected in parallel to the filter unit (100) and that attenuates signals outside of the range of the predetermined frequency band in signals output from the output terminal (28). A part (32) of a wiring pattern connecting a first functional element and a second functional element included in the plurality of functional elements (30) is formed on the cover section (20).
(FR) Cette invention concerne un dispositif à ondes acoustiques de surface (10) pourvu d'un substrat piézoélectrique (24), d'une pluralité d'éléments fonctionnels (30) formés sur le substrat piézoélectrique (24), d'une section de couverture (20) disposée de manière à faire face au substrat piézoélectrique (24) avec une couche de support (22) entre ceux-ci, et de bornes d'entrée/sortie (28) disposées sur la section de couverture (20). Une électrode IDT (transducteur interdigité) est incluse dans au moins certains éléments fonctionnels de la pluralité d'éléments fonctionnels (30) et un résonateur à ondes acoustiques de surface est formé par le substrat piézoélectrique (24) et les électrodes IDT. La pluralité d'éléments fonctionnels (30) comprend une unité de filtre (100) à travers laquelle un signal dans une bande de fréquence prédéterminée est amené à passer et un circuit d'annulation (110) qui est connecté en parallèle à l'unité de filtre (100) et qui atténue les signaux à l'extérieur de la plage de la bande de fréquence prédéterminée dans des signaux délivrés en sortie par la borne de sortie (28). Une partie (32) d'un motif de câblage connectant un premier élément fonctionnel et un second élément fonctionnel compris dans la pluralité d'éléments fonctionnels (30) est formée sur la section de couverture (20).
(JA) 弾性表面波装置(10)は、圧電性基板(24)と、圧電性基板(24)上に形成される複数の機能素子(30)と、支持層(22)を介して圧電性基板(24)と対向配置されるカバー部(20)と、カバー部(20)に配置された入出力端子(28)とを備える。複数の機能素子(30)の少なくとも一部には、IDT(Inter Digital Transducer)電極が含まれており、圧電性基板(24)とIDT電極により弾性表面波共振子が形成される。複数の機能素子(30)は、所定の周波数帯域の信号を通過させるフィルタ部(100)と、フィルタ部(100)に並列に接続され、出力端子(28)から出力される信号における所定の周波数帯域の範囲外の信号を減衰させるキャンセル回路(110)とを含む。複数の機能素子(30)に含まれる第1機能素子と第2機能素子とを接続する配線パターンの一部(32)は、カバー部(20)に形成される。
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Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)