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1. (WO2018139277) SEMICONDUCTOR CHIP
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Pub. No.: WO/2018/139277 International Application No.: PCT/JP2018/001086
Publication Date: 02.08.2018 International Filing Date: 17.01.2018
IPC:
H01L 21/822 (2006.01) ,H01L 21/82 (2006.01) ,H01L 27/04 (2006.01)
Applicants: SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION[JP/JP]; 4-14-1, Asahi-cho, Atsugi-shi, Kanagawa 2430014, JP
Inventors: KIYOTA Yuji; JP
TAKEDA Takahiro; JP
Agent: NISHIKAWA Takashi; JP
INAMOTO Yoshio; JP
Priority Data:
2017-01430130.01.2017JP
Title (EN) SEMICONDUCTOR CHIP
(FR) PUCE À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体チップ
Abstract: front page image
(EN) The present technology relates to a semiconductor chip that suppresses attenuation of a high frequency signal while making it possible to ensure a current path of low impedance in an I/O ring. The semiconductor chip includes an I/O ring surrounding a core circuit, first and second pads as input/output terminals of a high frequency signal, and a high frequency signal transmission line that electrically connects to the first and second pads and the core circuit. The high frequency signal transmission line is formed in a layer above the I/O ring. The present technology can be applied to a semiconductor chip that inputs and outputs RF signals.
(FR) La présente technologie concerne une puce à semi-conducteur supprimant l'affaiblissement d'un signal haute fréquence tout en permettant d'assurer un trajet de courant de faible impédance dans un anneau d'entrée/sortie. La puce à semi-conducteur comprend un anneau d'entrée/sortie encerclant un circuit central, des premier et second plots en tant que bornes d'entrée/sortie d'un signal haute fréquence, et une ligne de transmission de signal haute fréquence qui se connecte électriquement aux premier et second plots et au circuit central. La ligne de transmission de signal haute fréquence est formée dans une couche au-dessus de l'anneau d'entrée/sortie. La présente technologie peut être appliquée à une puce à semi-conducteur qui applique et émet des signaux RF.
(JA) 本技術は、高周波信号の減衰を抑えつつ、I/Oリングにおいて低インピーダンスの電流経路を確保することができるようにする半導体チップに関する。 半導体チップは、コア回路を包囲するI/Oリングと、高周波信号の入出力端子となる第1および第2のパッドと、第1および第2のパッドとコア回路とに電気的に接続される高周波信号伝送線路とを備える。高周波信号伝送線路は、I/Oリングより上層に形成される。本技術は、RF信号の入出力を行う半導体チップに適用することができる。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)