Some content of this application is unavailable at the moment.
If this situation persist, please contact us atFeedback&Contact
1. (WO2018139252) TUNNEL MAGNETORESISTIVE ELEMENT, AND MAGNETIZATION DIRECTION CORRECTING CIRCUIT
Latest bibliographic data on file with the International Bureau    Submit observation

Pub. No.: WO/2018/139252 International Application No.: PCT/JP2018/000930
Publication Date: 02.08.2018 International Filing Date: 16.01.2018
IPC:
H01L 43/08 (2006.01) ,G01R 33/09 (2006.01) ,H01L 43/10 (2006.01)
[IPC code unknown for H01L 43/08][IPC code unknown for G01R 33/09][IPC code unknown for H01L 43/10]
Applicants:
国立大学法人東北大学 TOHOKU UNIVERSITY [JP/JP]; 宮城県仙台市青葉区片平二丁目1番1号 2-1-1, Katahira, Aoba-ku, Sendai-shi, Miyagi 9808577, JP
コニカミノルタ株式会社 KONICA MINOLTA, INC. [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内二丁目7番2号 2-7-2, Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo 1007015, JP
Inventors:
安藤 康夫 ANDO, Yasuo; JP
大兼 幹彦 OOGANE, Mikihiko; JP
藤原 耕輔 FUJIWARA, Kosuke; JP
城野 純一 JONO, Junichi; JP
寺内 孝 TERAUCHI, Takashi; JP
関根 孝二郎 SEKINE, Koujirou; JP
土田 匡章 TSUCHIDA, Masaaki; JP
Agent:
特許業務法人光陽国際特許事務所 KOYO INTERNATIONAL PATENT FIRM; 東京都千代田区有楽町一丁目1番3号 東京宝塚ビル17階 17F., Tokyo Takarazuka Bldg., 1-1-3, Yurakucho, Chiyoda-ku, Tokyo 1000006, JP
Priority Data:
2017-01021224.01.2017JP
Title (EN) TUNNEL MAGNETORESISTIVE ELEMENT, AND MAGNETIZATION DIRECTION CORRECTING CIRCUIT
(FR) ÉLÉMENT MAGNÉTORÉSISTIF À EFFET TUNNEL ET CIRCUIT DE CORRECTION DE DIRECTION DE MAGNÉTISATION
(JA) トンネル磁気抵抗素子及び磁化方向補正回路
Abstract:
(EN) Noise is removed from the output of a tunnel magnetoresistive element by forcibly inverting the magnetization direction of a fixed magnetic layer. Ferromagnetic layers 10, 30 at both sides of an insulating layer 20 are both provided with a volume and a composition with which the magnetization direction is inverted at a magnetic field strength of at least 1 µT but less than 10 mT. The insulating layer and the ferromagnetic layers at both sides of the insulating layer are stacked in order of the ferromagnetic layer 10 at one side, the insulating layer, and the ferromagnetic layer 30 at the other side, from the side near to a substrate 2. The ferromagnetic layer 30 at the other side is entirely or partially formed from a soft magnetic layer 33, and thus functions as a free magnetic layer which is affected by an external magnetic field, and which has a magnetization direction that is easily changed by the ferromagnetic layer 10 at the one side. A set/reset magnetic field is applied to invert the magnetization direction of the ferromagnetic layers 10, 30, and invert a signal component corresponding to the external magnetic field, and a set magnetic field application time output or a reset magnetic field application time output is inverted and summed to counteract a noise component.
(FR) L'invention élimine le bruit de la sortie d'un élément magnétorésistif à effet tunnel par inversion forcée de la direction de magnétisation d'une couche magnétique fixe. Des couches ferromagnétiques 10, 30 sur les deux côtés d'une couche isolante 20 sont toutes deux pourvues d'un volume et d'une composition avec laquelle la direction de magnétisation est inversée à une intensité de champ magnétique d'au moins 1 µT mais inférieure à 10 mT La couche d'isolation et les couches ferromagnétiques des deux côtés de la couche d'isolation sont empilées dans l'ordre de la couche ferromagnétique 10 sur un côté, la couche d'isolation, et la couche ferromagnétique 30 de l'autre côté, du côté proche à un substrat 2. La couche ferromagnétique 30 de l'autre côté est entièrement ou partiellement formée à partir d'une couche magnétique souple 33, et fonctionne ainsi en tant que couche magnétique libre qui est affectée par un champ magnétique externe, et qui a une direction de magnétisation qui est facilement changée par la couche ferromagnétique 10 au niveau du côté. Un champ magnétique de réglage/réinitialisation est appliqué pour inverser la direction de magnétisation des couches ferromagnétiques 10, 30 et inverse une composante de signal correspondant au champ magnétique externe, et une sortie de temps d'application de champ magnétique définie ou une sortie de temps d'application de champ magnétique de réinitialisation est inversée et totalisée pour contrebalancer une composante de bruit.
(JA) 固定磁性層の磁化方向を強制的に反転処理することで、トンネル磁気抵抗素子の出力からノイズを除去する。絶縁層20の両側の強磁性層10,30のいずれもが、1μT以上10mT未満の磁場強度で磁化の方向が反転する組成と体積とを備え、絶縁層及びこの両側の強磁性層は基板2に近い側から、一方側の強磁性層10、絶縁層、他方側の強磁性層30の順で積層され、他方側の強磁性層30は全部又は一部が軟磁性層33とされることで、外部磁場の影響を受けて磁化の向きが、一方側の強磁性層10より変化しやすい自由磁性層として機能する。セット/リセット磁場を印加することで強磁性層10,30の磁化方向を反転させて外部磁場に応じた信号成分を反転し、セット磁場印加時出力と、リセット磁場印加時出力とを、いずれか一方を反転して加算することでノイズ成分を相殺する。
front page image
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)