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1. (WO2018139188) SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING SAME, SOLID-STATE IMAGE PICKUP ELEMENT, AND ELECTRONIC APPARATUS
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Pub. No.: WO/2018/139188 International Application No.: PCT/JP2018/000232
Publication Date: 02.08.2018 International Filing Date: 10.01.2018
IPC:
H01L 27/146 (2006.01) ,H01L 21/3205 (2006.01) ,H01L 21/768 (2006.01) ,H01L 21/822 (2006.01) ,H01L 23/522 (2006.01) ,H01L 27/04 (2006.01) ,H04N 5/369 (2011.01)
Applicants: SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION[JP/JP]; 4-14-1, Asahi-cho, Atsugi-shi, Kanagawa 2430014, JP
Inventors: TAKAHASHI Hiroshi; JP
Agent: NISHIKAWA Takashi; JP
INAMOTO Yoshio; JP
Priority Data:
2017-01005324.01.2017JP
Title (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING SAME, SOLID-STATE IMAGE PICKUP ELEMENT, AND ELECTRONIC APPARATUS
(FR) DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, ÉLÉMENT DE CAPTURE D'IMAGE À SEMICONDUCTEUR ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(JA) 半導体装置および製造方法、固体撮像素子、並びに電子機器
Abstract: front page image
(EN) The present technology relates to: a semiconductor device enabling to suppress breakage of a side wall insulating film due to charge damage, and to suppress a short-circuit that could have been occurred between a semiconductor substrate and a through electrode; a method for manufacturing the semiconductor device; a solid-state image pickup element; and an electronic apparatus. The semiconductor device according to one aspect of the present technology is provided with: a first semiconductor substrate, in which a predetermined circuit is formed; a second semiconductor substrate bonded to the first semiconductor substrate; and a through electrode that electrically connects the first semiconductor substrate and the second semiconductor substrate to each other. The through electrode is formed by opening a through hole by penetrating a protection diode structure formed in the first semiconductor substrate, depositing an insulating film on the side wall of the through hole, and applying an electrode material to the inner side of the through hole on which the insulating film is deposited. This technology can be applied to, for instance, CMOS image sensors.
(FR) La présente invention concerne : un dispositif à semiconducteur permettant d'empêcher la rupture d'un film d'isolation de paroi latérale en raison d'un endommagement de charge, et pour empêcher un court-circuit qui pourrait avoir été produit entre un substrat semiconducteur et une électrode traversante; un procédé de fabrication du dispositif à semiconducteur; un élément de capture d'image à semiconducteur; et un appareil électronique. Selon un aspect de la présente invention, le dispositif à semiconducteur comprend : un premier substrat semiconducteur, sur lequel est formé un circuit prédéterminé; un second substrat semiconducteur lié au premier substrat semiconducteur; et une électrode traversante qui connecte électriquement le premier substrat semiconducteur et le second substrat semiconducteur l'un à l'autre. L'électrode traversante est formée par ouverture d'un trou traversant par pénétration d'une structure de diode de protection formée sur le premier substrat semiconducteur, déposer un film d'isolation sur la paroi latérale du trou traversant, et appliquer un matériau d'électrode sur le côté interne du trou traversant sur lequel le film isolant est déposé. La présente invention peut être appliquée, par exemple, à des capteurs d'image CMOS.
(JA) 本技術は、チャージダメージによる側壁絶縁膜の破壊を抑えて半導体基板と貫通電極間に生じ得ていた短絡を抑止できるようにする半導体装置および製造方法、固体撮像素子、並びに電子機器に関する。 本技術の一側面である半導体装置は、所定の回路が形成されている第1半導体基板と、前記第1半導体基板と貼り合わされた第2半導体基板と、前記第1半導体基板と前記第2半導体基板とを電気的に接続する貫通電極とを備え、前記貫通電極は、前記第1半導体基板内に形成されている保護ダイオード構造を貫いてスルーホールが開口され、前記スルーホールの側壁に絶縁膜が堆積され、前記絶縁膜が堆積されている前記スルーホール内側に電極材が充填されて形成されている。本技術は、例えば、CMOSイメージセンサに適用できる。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)