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1. (WO2018138604) CAPACITOR, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE
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Pub. No.: WO/2018/138604 International Application No.: PCT/IB2018/050297
Publication Date: 02.08.2018 International Filing Date: 18.01.2018
IPC:
H01L 21/8242 (2006.01) ,H01L 21/28 (2006.01) ,H01L 21/336 (2006.01) ,H01L 27/108 (2006.01) ,H01L 27/11551 (2017.01) ,H01L 27/1156 (2017.01) ,H01L 29/417 (2006.01) ,H01L 29/423 (2006.01) ,H01L 29/49 (2006.01) ,H01L 29/786 (2006.01) ,H01L 29/788 (2006.01) ,H01L 29/792 (2006.01)
Applicants: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.[JP/JP]; 398, Hase Atsugi-shi, Kanagawa 2430036, JP
Inventors: SATO, Yuichi; JP
HODO, Ryota; JP
IIDA, Yuta; JP
MORIWAKA, Tomoaki; JP
Priority Data:
2017-01314227.01.2017JP
Title (EN) CAPACITOR, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) CONDENSATEUR, DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
Abstract: front page image
(EN) A semiconductor device that can be miniaturized or highly integrated is provided. The semiconductor device includes a transistor and a capacitor. The transistor includes a metal oxide and a first conductor that is electrically connected to the metal oxide. The capacitor includes a first insulator which is provided over the metal oxide and which the first conductor penetrates; a second insulator provided over the first insulator and including an opening reaching the first insulator and the first conductor; a second conductor in contact with an inner wall of the opening, the first insulator, and the first conductor; a third insulator provided over the second conductor; and a fourth conductor provided over the third insulator. The first insulator has higher capability of inhibiting the passage of hydrogen than the second insulator.
(FR) L'invention concerne un dispositif à semi-conducteurs qui peut être miniaturisé ou hautement intégré. Le dispositif à semi-conducteurs comprend un transistor et un condensateur. Le transistor comprend un oxyde métallique et un premier conducteur qui est électriquement connecté à l'oxyde métallique. Le condensateur comprend un premier isolant qui est disposé sur l'oxyde métallique et dans lequel pénètre le premier conducteur ; un deuxième isolant disposé sur le premier isolant et comportant une ouverture atteignant le premier isolant et le premier conducteur ; un deuxième conducteur en contact avec une paroi interne de l'ouverture, le premier isolant et le premier conducteur ; un troisième isolant disposé sur le deuxième conducteur ; et un quatrième conducteur disposé sur le troisième isolant. Le premier isolant présente une plus grande capacité à empêcher le passage d'hydrogène que le deuxième isolant.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)