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1. (WO2018137978) ULTRA-THIN FILM THERMISTORS
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Pub. No.: WO/2018/137978 International Application No.: PCT/EP2018/051052
Publication Date: 02.08.2018 International Filing Date: 17.01.2018
IPC:
H01C 7/02 (2006.01) ,G01K 7/18 (2006.01) ,H01C 17/065 (2006.01)
Applicants: DEUTSCHES ZENTRUM FÜR LUFT- UND RAUMFAHRT E.V.[DE/DE]; Linder Höhe 51147 Köln, DE
Inventors: SPIETZ, Peter; DE
BATURKIN, Volodymyr; DE
WIRTH, Ingo; DE
Agent: REHBERG HÜPPE + PARTNER PATENTANWÄLTE PARTG MBB; Robert-Gernhardt-Platz 1 37073 Göttingen, DE
Priority Data:
10 2017 101 262.124.01.2017DE
Title (EN) ULTRA-THIN FILM THERMISTORS
(FR) THERMISTANCES À FILM ULTRAMINCES
(DE) ULTRADÜNNE FOLIENTHERMISTOREN
Abstract: front page image
(EN) In a method (18) to produce a thermistor (1), a carrier film (2) is printed with a metallic ink (19), and the metallic ink (19) printed on the carrier film (2) is thermally treated such that the metallic ink (19) is converted into a conductor path (3). The metallic ink (19) has a platinum proportion of elementary platinum of at least 15% and a low-evaporating proportion of at least one low-evaporating substance (20) having an evaporation temperature of below 250 °C of at least 60%, wherein the sum of the platinum proportion and the low-evaporating proportion of the metallic ink (19) is at least 99.5%. The thermal treatment comprises sintering at 380 °C to 400 °C so that every low-evaporating substance (20) evaporates during sintering, and after sintering the conductor path (3) has a final proportion of elementary platinum of at least 99%. A thermistor (1) having a carrier film (2) which comprises a film layer thickness of at most 10 μm, and a conductor path (3) on the carrier film (2) comprising a final proportion of elementary platinum of at least 99 % can, for example, be produced using this method (18).
(FR) Dans un procédé (18) de fabrication d’une thermistance (1), un film de support (2) est imprimé avec une encre métallique (19), et l’encre métallique (19) imprimée sur le film de support (2) est traitée thermiquement de façon à transformer l’encre métallique (19) en une piste conductrice (3). L’encre métallique (19) a une proportion de platine élémentaire d’au moins 15 % et une proportion à faible évaporation d’au moins une substance à faible évaporation (20) à une température d’évaporation inférieure à 250 °C d’au moins 60 %. La somme de la proportion de platine et de la proportion à faible évaporation de l’encre métallique (19) est d’au moins 99,5%. Le traitement thermique comprend un frittage allant de 380 °C à 400 °C de sorte que chaque matière à faible évaporation (20) se vaporise pendant le frittage et la piste conductrice (3) ait une proportion finale de platine élémentaire d’au moins 99 % après le frittage. Une thermistance (1), pourvue d’un film de support (2) d’une épaisseur de 10 µm maximum et, sur le film support (2), d’une piste conductrice (3) ayant une proportion finale de platine élémentaire d’au moins 99%, peut être fabriquée par ce procédé (18).
(DE) In einem Verfahren (18) zum Herstellen eines Thermistors (1) wird eine Trägerfolie (2) mit einer metallischen Tinte (19) bedruckt, und die auf die Trägerfolie (2 )auf gedruckte metallische Tinte (19) wird thermisch behandelt, so dass die metallische Tinte (19) zu einer Leiterbahn (3) umgewandelt wird. Die metallische Tinte (19) weist einen Platinanteil aus elementarem Platin von mindestens 15 % und einen niedrigverdampfenden Anteil aus mindestens einem niedrigverdampfenden Stoff (20) mit einer Verdampfungstemperatur unterhalb von 250 °C von mindestens 60 % auf, wobei die Summe des Platinanteils und des niedrigverdampfenden Anteils an der metallischen Tinte (19) mindestens 99,5 % beträgt. Das thermische Behandeln umfasst ein Sintern bei 380 °C bis 400 °C, so dass jeder niedrigverdampfende Stoff (20) während des Sinterns verdampft und die Leiterbahn (3) nach dem Sintern einen Endanteil aus elementarem Platin von mindestens 99 % aufweist. Ein Thermistor (1) mit einer Trägerfolie (2), die eine Folien-Schichtdicke von höchstens 10 μm aufweist, und einer Leiterbahn (3) auf der Trägerfolie (2), die einen Endanteil aus elementarem Platin von mindestens 99 % aufweist, kann beispielsweise nach diesem Verfahren (18) hergestellt werden.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)